为何推荐FHS110N8F5B用于锂电池保护板？

TO-263封装因其良好的散热性能与适中的占板面积，被广泛用于中大电流场合的锂电池保护电路中。FHS110N8F5B具备以下特点，契合保护板的应用需求：

1、电压电流匹配性强：85V的耐压值与147A的持续电流能力，足以应对13-17串锂电池保护板上起充放电保护功能。

2、低导通电阻：RDS(on)典型值仅为4.4mΩ@VGS=10V，最大不超过5.0mΩ，有助于降低导通损耗，提升整机效率。

3、高栅极兼容性：VGS可达±20V，适配多数主流驱动IC，便于电路设计。

4、开关性能优良：反向传输电容仅23pF，有助于实现快速开关，提升保护响应速度。

FHS110N8F5B核心参数的匹配适用

该器件为N沟道增强型功率MOSFET，主要参数如下：

VDSS: 85V

ID: 147A

最大脉冲漏极电流IDM: 480A

RDS(on) = 5.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =4.4mΩ(TYP) @VGS = 10 V

VGS(th): 2.0--4.0V

封装: TO-263

这些参数使其在锂电池保护板中能有效承担放电控制与充电控制MOS开关角色，兼顾效率与温升控制。

在锂电池保护电路中的设计优势

在BMS电路中，MOS管通常用于串联在电池与负载/充电器之间，实现通断控制。FHS110N8F5B具备：

1、低损耗：导通电阻小，有效降低在大电流工况下的发热。

2、响应快：适合需要快速切断的过流与短路保护场景。

3、散热优：TO-263封装通过大面积金属背面与PCB紧密接触，热阻低，散热性能优异。

产品总结

FHS110N8F5B是一款性能出色、封装适用广的中低压MOSFET，特别适合需要高可靠性与高效率的锂电池保护板设计。飞虹半导体作为国内功率器件重要供应商，不仅提供各类型MOS管、IGBT单管、三极管等标准型号，还支持定制化需求，并已实现与多家BMS厂商的稳定合作。

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