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06 26 2025

FHA75T65V1DL

FHA75T65V1DL 采用飞虹第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术工艺设计，使产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助；并且产品拥有良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。该产品广泛适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关。
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07 30 2025

650V、75AIGBT单管，能代换NCE75ED65VT型号参数用于逆变器电路!

飞虹半导体始终在工程师角度来思考推荐，今天推荐的这一款IGBT单管是能代换NCE75ED65VT型号适用于各类逆变器中。
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07 30 2025

82V、140A场效应管，能代换NCE82H140型号参数用于同步整流！

​MOSFET是同步整流管在电路设计中的理想选择，其优异的低导通电阻(Rds(on))、快速的开关速度和可控性是实现高效、低损耗整流的关键。如何选择选择具备低Rds(on)、优异体二极管特性及快速开关性能的MOS管对于同步整流电路是至关重要。
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12 04 2025

国产IGBT单管：替换NGTB25N120FL2WG型号参数助力电焊机电路设计！

在电焊机应用中，IGBT单管的耐压能力、开关特性、导通损耗和可靠性直接影响整机的焊接性能、能耗水平和使用寿命。飞虹半导体推出的FHA25T120A（TO-247封装）是一款专为电焊机优化的场沟槽栅截止型IGBT，采用Trench Field Stop技术，在导通损耗与关断损耗之间实现良好的平衡，为电焊机主机厂提供了高性能的国产IGBT单管解决方案。
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11 22 2025

​TO-247封装IGBT单管：替换SGT75T65SDM1P7型号IGBT单管可使用的电路设计有这些！

​FHA75T65V1DL作为一款飞虹第七代场截止（Trench Field Stop VII）技术工艺设计的IGBT单管，采用TO-247封装，具备具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流。可广泛适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关等电路设计。
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07 07 2025

650V、75A IGBT单管，能代换IKW75N65ET7型号参数用于不间断电源电路!

在电路设计中的产品选型，必须要考虑如何在价格合理的范围内选择性价比高的产品，但又能让产品的性能做到极致。比如中等功率的UPS在选择代换IKW75N65ET7型号IGBT单管时，该如何考虑呢？
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07 29 2025

650V、75AIGBT单管，能代换JT075N065WED型号参数用于变频器电路！

不同的变频器对于IGBT单管使用的关注点会有所区别，常见使用的关注点会有开关特性、低导通损耗 (VCE(sat))、良好的热性能 、反向并联二极管性能等。因此，在选择可以代换JT075N065WED型号IGBT单管用于变频器时，工程师必须重点评估上述关键需求点。
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07 07 2025

国产IGBT单管新品：FHA75T65V1DL无缝代换5款常见IGBT型号参数!

国产IGBT单管新品，采用飞虹半导体第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术工艺设计，能达到显著降低导通损耗和开关损耗。使产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。
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07 29 2025

650V、75AIGBT单管，能代换SGT75T65SDM1P7型号参数用于户外储能电源！

户外储能电源中的DC-AC逆变模块（放电）、AC-DC整流模块（充电）都会使用到IGBT单管。而从设计的专业角度可了解到，不同户外储能电源对于代换SGT75T65SDM1P7型号IGBT单管使用的关注点都会有所区别。
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03 29 2025

2025年国产MOS管新品：70N11V无缝代换JCS60N10、IRF3710型号参数！

​音响功放、步进电机驱动器在设计电路时卡在怎么选型的问题？想用JCS60N10、IRF3710这两款型号，但又担心成本与供应链的问题？
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03 01 2025

2025年国产MOS管新品：FHP1404V无缝代换1404、4004型号参数！

针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。
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05 24 2025

代换HY3906P、IRFB7537PBF型号参数的MOS管：户外储能电源专用！

研发户外储能电源的福利帖，究竟其逆变模块中的DC-DC推挽拓扑升压电路要怎么选择对的国产MOS管型号才能代换HY3906P、IRFB7537PBF型号？
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08 02 2025

代换JT075N065WED型号参数的国产IGBT单管，650V、75A适配电焊机电路使用！

相信很多电子工程师都会有设计疑问，比如电焊机电路中的IGBT单管该如何选择才会拥有更高性价比的型号参数呢？尤其是要考虑如何能代换JT075N065WED型号IGBT单管的产品。 飞虹半导体始终在电子工程师角度来思考推荐，今天推荐的这一款IGBT单管是能代换JT075N065WED型号适用于各类电焊机应用。
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12 06 2025

国产场效应管：替换CS20N50型号MOS管助力逆变电源电路设计！

逆变电源、工业开关电源、电焊机及高压电机驱动等应用，对核心功率开关器件有严苛要求：高耐压、大电流、低损耗及出色的抗冲击能力。TO-220封装的FHP20N50B型号MOS管凭借其出色的散热性能与参数特点，成为这类中高功率应用的选型推荐。
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11 22 2025

国产IGBT单管：替换SGT20T60SDM1P7型号参数助力高频车载逆变器电路设计！

在电子制造业国产化替代浪潮下，越来越多的工程师在了解飞虹半导体研发的FHF20T60A型号IGBT单管，通过精准参数设计与工艺优化，该款IGBT单管已实现可代换SGT20T60SDM1P7的型号参数，为高频车载逆变器电路等场景提供可靠解决方案。
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06 21 2025

82V、140A场效应管,能代换FTP11N08A型号参数用于不间断电源电路!

​MOS管是UPS将电池直流电高效、可靠地转换成交流电供给负载的核心执行元件。在实际选用产品时，工程师现在会纠结于仍然使用MOS管还是使用IGBT呢?MOSFET在低压、大电流应用中的效率通常优于IGBT(绝缘栅双极晶体管)，因此高压选IGBT，低压选MOS管。
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12 04 2025

国产场效应管：替换FQPF8N65C型号MOS管助力高频开关电源设计！

高压功率MOSFET在高频开关电源中起到关键角色，其耐压能力、开关速度及可靠性直接决定整机效率与稳定性。尤其在AC-DC开关电源、DC-DC转换器及高压H桥PWM电机驱动等场景中，MOS管需承受高电压应力、快速开关频率及复杂电磁环境。
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08 11 2025

从替代到卓越：耐压IGBT改变录像机的幕后故事

探索飞虹半导体的耐压IGBT FHA40T65A为何成为仙童FGH40N60SFD的理想代替品，助力录像机等应用场景实现卓越性能与可靠性。
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06 16 2025

替换安森美NGTB25N120FL2WG？飞虹半导体大功率IGBT管优势解析

了解飞虹半导体的大功率IGBT管FHA25T120A如何成为替换安森美NGTB25N120FL2WG的最佳选择，助力线互动式UPS应用，提升性能与性价比。
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06 21 2025

国产MOS管新品:FHP140N08V无缝代换4款常见场效应管型号参数!

不管是车载高频逆变器还是太阳能离网工频逆变器都会存在 DC-DC电路,而在电路开发的过程中工程师是需要结合不同的电路特性来选型的。因此对于DC-DC电路怎么选型这一问题常常让工程师困扰。
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