高压功率MOSFET在高频开关电源中起到关键角色，其耐压能力、开关速度及可靠性直接决定整机效率与稳定性。尤其在AC-DC开关电源、DC-DC转换器及高压H桥PWM电机驱动等场景中，MOS管需承受高电压应力、快速开关频率及复杂电磁环境。

飞虹半导体推出的FHP8N65W（TO-220封装）是一款高性能N沟道增强型高压功率MOSFET，以其650V耐压、低导通电阻及卓越开关特性，为工程师提供国产优质场效应管替代之选，完美对标国际品牌型号FQPF8N65C。

一、FHP8N65W在高频开关电源设计的特点

1、高压参数的适配能力：

650V的漏源电压（VDSS）与8A的连续漏极电流（ID@25℃），使其能够胜任高压开关电源及电机驱动中的功率开关任务，覆盖工业级应用需求。

2、低导通电阻与高效率：

RDS(on)典型值低至1.0Ω@VGS=10V，最大值为1.25Ω，有效降低导通损耗，提升电源转换效率与电机驱动性能。

3、快速开关与低损耗：

总栅极电荷（Qg）仅22nC，反向传输电容（Crss）低至2.6pF，结合快速的导通/关断时间（td(on)=31ns, td(off)=78ns）。

4、高可靠性设计与强抗干扰性：

通过100%雪崩测试（EAS=180mJ），支持高抗dv/dt能力（5V/ns），确保在电压尖峰与反向恢复等恶劣条件下稳定工作，延长系统寿命。

二、FHP8N65W核心参数的匹配适用

该器件为N沟道增强型功率MOSFET，主要参数如下：

• VDSS: 650V

• ID: 8A

• 最大脉冲漏极电流IDM: 32A

• RDS(on) = 1.25Ω(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =1.0Ω(TYP) @VGS = 10 V

• VGS(th): 2.0--4.0V

• 封装: TO-220

FHP8N65W以其一致性好、高可靠性及低导通内阻等优势，成为高频开关电源、高压电机驱动等领域的理想国产替代方案。飞虹半导体作为国内功率器件重要供应商，不仅提供各类型MOS管、IGBT单管、三极管等标准型号，还支持定制化需求，并已实现与多家电源厂商的稳定合作。

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