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对应急储能电源需要75A、650V参数的大功率IGBT单管,该以何种方面选型大功率IGBT单管才有适合应急储能电源电路图的产品呢?
本文探讨飞虹半导体MOS管200N6F3A在UPS、DC-DC转换器等领域的应用,分析其参数优势,并提供选型建议,帮助工程师优化电路设计。
当硬件工程师面对进口IGBT交期延误时,飞虹半导体FHF20T60A以1.49V超低饱和压降和反向快恢复二极管设计,成功替代NCE20TD60BF应用于风扇驱动,展现国产器件的参数竞争力。
本文从UPS电源领域的发展前景切入,分析飞虹半导体200N6F3A MOSFET在替换IPP04N06N3时的性能优势,帮助电子工程师优化电路设计并提升供应链韧性。
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