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    飞虹FHP20100A/FHF20100A共阴双芯肖特基，100V/20A，VF仅0.81V，200A浪涌，150℃结温，TO-220/220F封装，热阻≤1.9℃/W，低功耗高浪涌，适配高频开关电源与极性保护，RoHS环保
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    飞虹3205场效应管，N沟道平面工艺MOS管，适用于开关电源、12V逆变电源、同步整流、300W/12V输入的逆变器的前级电路。其它品牌替代型号：IRF3205。
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  • FHP4310V

    FHP4310V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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  • FHF3N150A/FHA3N150A

    低导通内阻，高抗dv/dt能力，100% EAS测试（抗冲击能力强），100% DVDS热阻测试（散热性能好），100% Rg测试，可靠性高（满足工业级可靠性要求）。
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  • FHP100N8F6A/FHS100N8F6A/FHD100N8F6A

    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：STP110N8F6
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    飞虹80N06B，采用沟槽工艺，具有RDS(ON)小，EAS性能好，开关速度快等特点；TO-220封装产品可应用于UPS、24-36V电动滑板车/平衡车，300W/12V输入的逆变器（2只推免前级升压电路）；TO-263/252封装产品广泛应用于BMS保护板，负载开关。其他MOS管品牌替代型号：HRT60N08x、SW085R06E7T、PTP08N06N。
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  • FHP170N1F4A/FHS170N1F4A/FHA170N1F4A

    飞虹170N1F4A，SGT MOSFET ，采用SGT工艺来获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，并拥有优异的抗短路脉冲电流性能，TO-220产品广泛应用于5G电源,12-24V车载逆变器,48V工频逆变器，AC-DC开关电源，DC/DC转换器，UPS，户外储能电源，BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等，TO-263产品适配电池管理。
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  • FHP180N08V

    FHP180N08V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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  • FHA40T65A

    FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代仙童FGH40N60SFD使用
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    飞虹80N07低压mos管 （对标替代型号：STP80NF07F4、RU6888、HY1607） ，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于36V-48V/6管的电动车控制器/锂电池保护板。可替代场效管：STP80NF07F4、RU6888、HY1607
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    70N11V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-252和TO-220等不同封装外形，可适用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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