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产品参数
Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(mΩ) | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHN60N1F10LA | N | PDFN5×6 | 20 | 1.2~2.4 | 60 | 100 | 10 | 12 | 12.5 | 15.5 |
产品详情
【飞虹60N1F10LA产品描述】
飞虹60N1F10LA,SGT MOSFET DFN5×6-8L,采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流,BLDC电机驱动。其它mos管品牌替代型号:AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N。
【飞虹60N1F10LA产品特点】
飞虹60N1F10LA,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS热阻测试,一致性高,高可靠性,开关速度快,极低的导通内阻RDS(on),优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg),损耗低。
【飞虹60N1F10LA应用举例】
USB PD charger(以市场的主流QR电源结构举例)
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快充头电子设计师在代换ZMS100N10N型号n沟道SGTMOSFET时,需要明确要求多个核心参数。首先是n沟道SGTMOSFET的性能参数,正如额定电流能不能做到了60安、电压能不能做到了100伏等,前述参数密切联系了器件的工作效率。
针对降压升压变换器电子技术员的需求,非常建议一款n沟道MOS管产品:FHN60N1F10LA。它在技术参数上完全相通VSP014N10MS,具体每位可关心参数:
n沟道增强型mos管是Type-C快充头的主要关注点,找寻哪个n沟道增强型mos管代理商可以获得能代换ZMS100N10N型号mos管用在Type-C快充头电路图中?
在DC/DC电源转换器电子工程中,VSP014N10MS型号场效应晶体管的选用需要设计师重点关切其性能指标。如同,电流是否满足60A、额定电压是否得到了100伏等,提及指标直接相关着器件的工作效率。
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