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产品参数
Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rdson[Ω](typ) | Rdson[Ω](max) | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHN60N1F10LA | N | PDFN5×6 | 20 | 1.2~2.4 | 60 | 100 | 10 | 12 | 12.5 | 15.5 |
产品详情
【飞虹60N1F10LA产品描述】
飞虹60N1F10LA,SGT MOSFET DFN5×6-8L,采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流,BLDC电机驱动。其它mos管品牌替代型号:AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N。
【飞虹60N1F10LA产品特点】
飞虹60N1F10LA,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS热阻测试,一致性高,高可靠性,开关速度快,极低的导通内阻RDS(on),优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg),损耗低。
【飞虹60N1F10LA应用举例】
USB PD charger(以市场的主流QR电源结构举例)
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当升降压型DC/DC转换器电子技术员进行AON6224型号MOSFET的替换时,要求专注研究多个关键指标。首先,MOSFET的性能参数急需解决,如额定电流能不能到达60A、电压能不能到达100V等,前述参数直接关连着器件的工作效率。同理,开关频率和Vcesat饱和压降也不得忽略的部分,强劲的开关频率性能能够满足提升加强升降压型DC/DC转换器的质量。
当降压升压变换器电子技术员进行ZMS100N10N型号低压场效应晶体管的替代时,要求严格把关多个关键条件。首先,低压场效应晶体管的性能参数燃眉之急,好像电流可不可以实现60a、电压可不可以实现100伏等,提及参数决定影响着器件的工作效率。同理,击穿电压(BVCES)和高可靠性也重要组成部分,全面的击穿电压(BVCES)性能符合于增加降压升压变换器的质量。
低压mos管是AC-DC开关电源的主要因素。这种情况下,找哪家低压mos管代理商才有适合AC-DC开关电源用的低压mos管产品?
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