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FHN60N1F10LA

行业通用名:AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N等

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  • 飞虹60N1F10LA,SGT MOSFET DFN5×6-8L ,采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流,BLDC电机驱动。

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产品参数

Part Number Polarity Package Vgs(±V) VTH(V) ID(A) BVdss(V) Rdson[mΩ]
(typ)
Rdson[mΩ]
(max)
型号 极性 封装形式 Vgs=10v
(typ)
Vgs=10v
(max)
Vgs=4.5v
(typ)
Vgs=4.5v
(max)
FHN60N1F10LA
N
PDFN5×6
20
1.2~2.4
60
100
10
12
12.5
15.5

产品详情

飞虹60N1F10LA产品描述

飞虹60N1F10LA,SGT MOSFET  DFN5×6-8L,采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),可实现快速硬开关和有效提高了转换效率,PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流,BLDC电机驱动。其它mos管品牌替代型号:AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N。


飞虹60N1F10LA产品特点

飞虹60N1F10LA100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS热阻测试,一致性高,高可靠性,开关速度快,极低的导通内阻RDS(on),优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg),损耗低。


飞虹60N1F10LA应用举例】


USB PD charger(以市场的主流QR电源结构举例)


FHN60N1F10LA应用举例


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