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不输全球品牌的国产精品,FHN60N1F10LA中低压mos管成就电路卓越

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-11-17 浏览量:151 分享至:
有哪家中低压mos管代理商才能拥有能国产替代ZMS100N10N型号mos管用在(PD)快速充电适配器电路中?毕竟,中低压mos管是(PD)快速充电适配器的核心设计元素。 市场上的中低压mos管产品常见存在可靠性差、产品寿命短等突出问题,这些关键因素都会密切联系(PD)快速充电适配器设备的可靠工作,因为这个原因供货持续的优质中低压mos管对市场份额比例极其紧要的。 在(PD)快速充电适配器电子工程中,挑拣ZMS100N10N型号中低压mos管需要设计师着重注重其性能指标,正如额定电流可不可以满足60a、额定电压可不可以做到100V等,以上指标与(PD)快速充电适配器电路的工作效率密切联系。另一考虑因素是,器件的关断电荷量和短路耐量(ShortCircuitCapability)也优先级高的因素,强大的关断电荷量性能能够增多(PD)快速充电适配器的质量。 国际(PD)快速充电适配器生产工厂先前普遍挑拣FHN60N1F10LA充当ZMS100N10N的有效国产替代,能够获得大规模运用。愿意举荐每一位知道其详尽的技术参数: 1、具有60a电流、100V电压 2、最大脉冲漏极电流:240A 3、静态导通电阻(VGS=4.5V):12.5mΩ(Typ)、15.5mΩ(Max) 4、VGS(th):1.2-2.4V 5、Vgs:±20V 6、N沟道增强型场效应晶体管 7、优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg) 为了改良(PD)快速充电适配器电路的控制效率,飞虹半导体推出FHN60N1F10LA型中低压mos管。凭借60a和100V的优越参数,轻松化解产品可靠性差、产品寿命短的未知疑问。 打破(PD)快速充电适配器电路开发的瓶颈,飞虹半导体中低压mos管厂家的FHN60N1F10LA型号成为(PD)快速充电适配器生产工厂的明智的决策。综合性升级的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。

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