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06 21 2025

国产MOS管新品:FHP140N08V无缝代换4款常见场效应管型号参数!

不管是车载高频逆变器还是太阳能离网工频逆变器都会存在 DC-DC电路,而在电路开发的过程中工程师是需要结合不同的电路特性来选型的。因此对于DC-DC电路怎么选型这一问题常常让工程师困扰。
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04 11 2025

如何选择国产场效应晶体管FHP1404V替代HY4004？

本文探讨了如何选择国产场效应晶体管FHP1404V替代HY4004，特别是在高频逆变器应用中的优势与选型要点，帮助电子工程师在电路设计中实现高效与可靠的解决方案。
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02 14 2025

n沟道MOSFET震撼升级，国产FHP170N8F3A为何能国产替代STP170N8F7

STP170N8F7型号n沟道MOSFET在移动储能电源电子工程中的应用，需要工程师着重留意其性能参数，像，电流是否达到185A、电压是否达到85v等，所述参数密不可分着移动储能电源电路的工作效率。而且，器件的开关频率和并联均流性也关键环节。
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06 07 2025

MOS管选型失误导致逆变器烧毁？国产FHP160N06V完美代换HY3606P

广州飞虹半导体自主研发的FHP160N06V MOS管，采用先进Trench技术，可完美代换HY3606P型号，特别适用于12V蓄电池输入的车载高频逆变器DC/DC推挽拓扑升压电路，提供稳定可靠的功率开关解决方案。
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01 04 2025

2025年国产MOS管新品：FHP160N06V无缝代换HY3606P、IRFB3306PbF型号参数

Trench工艺通过其深且窄的沟槽结构、高精度刻蚀与填充、垂直结构集成、兼容性强等特点，能够满足大多数电子设备对高性能、高密度和高可靠性的需求，广泛应用于逆变器、同步整流、电机控制等领域。
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05 11 2025

你知道吗？这款国产MOS管170N8F3A完美替代STP170N8F7！

飞虹半导体的MOS管170N8F3A凭借SGT工艺和优异的性能，可完美替代STP170N8F7，广泛应用于储能电源等领域，为电子工程师提供高性价比的选择。了解这款产品的优势与应用，立即免费试样！
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03 01 2025

2025年国产MOS管新品：FHP1404V无缝代换1404、4004型号参数！

针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。
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07 02 2025

国产MOSFET如何征服UPS领域？150N03B替代方案实测解析

本文通过行业专家访谈，揭示国产MOS管在UPS系统中的技术突破，重点分析飞虹半导体150N03B的性能优势与替代方案，为采购决策提供专业参考。
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01 01 2025

提升电路稳定性，选定纯国产FHD110N8F5BSGTMOSFET的理由

SGTMOSFET市场，产品质量差产品常常问题都有：散热问题、电磁干扰影响、可靠性不高等，叙述问题既妨碍了高频开关电源的正常使用，又带来了维护成本。故，选定极高质量的SGTMOSFET代替产品十分要紧的。
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08 29 2025

国产SGTMOSFET突围：飞虹FHP160N06V如何破解车载逆变器散热难题？

本文深度解析飞虹半导体SGTMOSFET产品FHP160N06V在车载高频逆变器DC/DC推挽电路中的技术突破，对比国际型号IRFB3306PbF的替代优势，揭示国产功率器件在热管理与可靠性方面的创新实践。
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09 09 2025

国产SGTMOSFET黑马FHP1404A限时试样，性能对标IRF1404省30%成本

飞虹半导体SGTMOSFET产品FHP1404A凭借180A大电流、3.3mΩ超低导通电阻等硬核参数，成为逆变电源前级电路国产替代首选，现开放免费试样通道。
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09 12 2025

国产MOSFET如何突破车载逆变器瓶颈？飞虹FHP160N06V参数深度解析

本文从车载高频逆变器设计痛点出发，解析飞虹半导体FHP160N06V MOSFET在导通损耗、开关速度等关键参数的竞争优势，为工程师提供国产替代选型新思路。
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07 24 2025

国产MOSFET逆袭记：FHP1404A如何破解进口替代困局

当进口MOSFET交货周期延长至6个月，广州飞虹半导体FHP1404A凭借180A大电流与2.5mΩ超低导通电阻，为逆变电源设计提供国产化解决方案。
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12 22 2024

国产优秀MOSFET，FHS200N4F3A型号代替IPP041N04NG的市场分析

大规模全球BMS生产厂家先前已经将FHS200N4F3A当作IPP041N04NG的代替品，还能够获得广泛采纳。建议大家详细知道其性能参数：
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08 27 2025

国产SGTMOSFET逆袭记：为何FHP160N06V在车载逆变器中击败国际大牌？

本文深度解析国产SGTMOSFET器件FHP160N06V在车载高频逆变器应用中的参数优势，揭示其如何通过2.9mΩ超低导通电阻和120nC栅极电荷实现进口替代，为工程师提供精准选型指南。
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07 30 2025

如何为12V车载逆变器选型SGTMOSFET？国产FHP1404V性能解析

本文深度解析飞虹半导体SGTMOSFET产品FHP1404V在12V车载逆变器中的应用优势，对比进口型号IRF1404PbF导通损耗降低44%，提供选型参数分析与国产化解决方案。
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04 08 2025

国产MOS管100N07B替代HY1707，提升电动车控制器性能

本文深入探讨了国产MOS管100N07B在电动车控制器中的应用，详细分析了其技术参数和优势，为工厂采购与供应链人员提供了高效、可靠的替代方案。
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08 01 2025

国产MOS管技术突围：FHP230N06V如何重塑车载逆变器能效标准？

本文深度解析国产MOS管FHP230N06V在车载高频逆变器应用中的参数优势，揭示国产半导体器件在开关损耗、雪崩耐量等关键指标上的技术突破。
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02 13 2025

对比分析：纯国产FHA60T65Aigbt单管代替国外型号FGH60N60SMD

对比分析：纯国产FHA60T65Aigbt单管代替国外型号FGH60N60SMD
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02 16 2025

纯国产IGBT型号：FHA60T65A，代换仙童FGH60N60SMD参数的秘密

在调脉宽式逆变器电子工程中，选拔仙童FGH60N60SMD型号IGBT需要设计师着重注重其性能指标，好像电流是否满足60a、额定电压是否得到了650v等，触及指标与调脉宽式逆变器电路的工作效率直接牵涉。此外，器件的电压上升率(dv/dt)和封装类型也重要方面，先进的电压上升率(dv/dt)性能能够满足抬升调脉宽式逆变器的质量。
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