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换一种大功率IGBT选型思考:FHA25T120A能替代安森美NGTB25N120FL2WG的参数
针对逆变电源设计中的MOS管选型难题,飞虹半导体FHP80N07以低至7mΩ的导通电阻和73nC栅极电荷量,提供媲美STP80NF07F4的高性价比国产替代方案。
了解如何选择国产IGBT型号代换,飞虹半导体提供高性能FHA40T65A,替代FGH40N60SFD,助力家庭影院变频器的完美应用。
本文探讨国产MOS管在开关电源领域的应用优势,重点介绍飞虹半导体50N06B的性能特点及代换方案,帮助工程师解决选型难题。
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