中国作为全球便携储能产品的核心制造基地，出货量数据直接反映市场景气度。相关数据显示，2026年中国便携式储能出货量预计将达到2976.4万台，相较2025年的2141.0万台显著跃升。户外露营、自驾出行及家庭应急备电等场景持续普及，正推动国内市场快速放量。《深圳特区报》报道也指出，全球产能高度集中于中国，中国贡献了全球超九成便携储能产能。

整机出货量向上，电源设计端的器件选型压力也同步向上。面向便携式储能的DC-DC电路，飞虹半导体推出N沟道功率MOSFET——FHP230N06V4。

产品核心参数：

FHP230N06V4漏源电压60V；连续漏极电流230A（硅极限）；脉冲漏极电流640A；导通电阻2.5mΩ typ、3.0mΩ max；栅极电荷160nC typ；反向传输电容Crss 629pF typ；结到管壳热阻0.48℃/W；耗散功率313W；单脉冲雪崩能量1740mJ（测试值435mJ）；工作结温范围-55℃～+175℃。

产品可靠性与供应稳定性：

FHP230N06V4经过100%雪崩测试、100%热阻测试和100%Rg测试，以全检放行替代抽检放行，为从试样验证到后续批量应用的过渡提供更可控的一致性基线。便携式储能电源面对户外温差、负载突变和电池切换等复杂工况，单颗器件的批次一致性直接影响整机在现场的失效率，这也是可靠性与供应稳定性需要提前考量的原因。

广泛应用与对标型号：

FHP230N06V4除了适用于便携式储能电源，也可用于车载逆变器、BLDC、UPS不间断电源等电路设计，应用范围较广。同时，FHP230N06V4可对标的常见型号包括IRFB7537PBF、IRF1404等。对于推进BOM国产化的便携储能整机厂而言，上述核心数据可作为选型对照的基础。

飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，为厂家提供可持续稳定供货。至今已有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。