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飞虹半导体

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06 04 2026

FHP150N045V

FHP150N045V 采用先进沟槽 Trench 工艺，依托高密度元胞结构实现极低导通内阻RDS(on)与优良 FOM 品质因数，在降低导通损耗的同时具备出色高速开关性能。器件采用 TO220 直插封装，45V 耐压相比常规 40V 型号预留充足电压裕量，可完美适配 12~15V 输入的逆变电源应用。产品依照 JEDEC 规范研发生产，满足 RoHS、REACH 法规要求，满足无卤环保要求。
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11 25 2025

电动车控制器MOSFET选型难题？100N07B参数解析与HY1707替代方案

本文从实际工程角度解析100N07B MOSFET的关键参数在电动车控制器中的应用优势，提供HY1707替代方案的技术对比，并介绍飞虹半导体Trench工艺产品的可靠性验证方法。
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11 22 2025

国产IGBT单管：替换SGT20T60SDM1P7型号参数助力高频车载逆变器电路设计！

在电子制造业国产化替代浪潮下，越来越多的工程师在了解飞虹半导体研发的FHF20T60A型号IGBT单管，通过精准参数设计与工艺优化，该款IGBT单管已实现可代换SGT20T60SDM1P7的型号参数，为高频车载逆变器电路等场景提供可靠解决方案。
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12 15 2025

代换IRFB3306PbF型号参数的国产MOS管，165A、60V更适合户外储能电源！

华宝新能作为储能电源的重要品牌，他们依托核心的产品创新能力不断提升其产品在千亿级别的市场占有率。根据EESA数据，预计2023年全球户储新增装机规模达16.1GWh，对应超过100亿人民币市场规模。
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12 31 2025

国产场效应管100N08B限时试样：替换HY3208实现逆变电源高效升级

本文详解国产场效应管100N08B在逆变电源应用中的性能优势，提供替换HY3208的完整方案，并介绍飞虹半导体提供的专业试样服务。
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12 29 2025

代换IRF1404PbF型号参数：250A、45V国产MOS管适用高频逆变器！

高频逆变器的发展核心趋势是往更高效率、更高功率密度和更智能的并网性能发展。飞虹半导体始终在为国产化的分立器件研发发力，我们在2025年推出的一款FHP1404V型号MOS管是能代换IRF1404PbF型号参数且适合用于高频逆变器的MOS管。
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06 21 2026

选型避坑：国产MOS管如何替换STP170N8F7？170N8F3A在储能电源中的实测方案

本文从储能电源DC-DC升压结构出发，详解国产170N8F3A场效应管的参数优势，并与STP170N8F7进行对比，帮助采购与工程师快速完成替代选型，降低供应链风险与成本。
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05 01 2026

国产MOS管硬核逆袭！170N1F4A参数详解，可代替HYG045N10NS1P，场效应管选型新标杆

飞虹半导体170N1F4A SGT MOSFET核心参数解析，100V/172A、超低导通内阻、100%雪崩测试，可直接替代HYG045N10NS1P，为电源、电机驱动等场景提供高性价比国产方案。
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11 21 2025

国产IGBT单管FHA25T120A替代ON品牌型号，光伏逆变器高效设计新选择

本文探讨光伏逆变器领域发展前景，分析国产IGBT单管FHA25T120A如何替代ON品牌NGTB25N120FL2WG，提供选型技巧和可靠性建议，助力电子工程师优化供应链。
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11 30 2025

国产IGBT单管FHA25T120A完美替换ON品牌NGTB25N120FL2WG，揭秘选型新策略

本文详细解析飞虹半导体IGBT单管FHA25T120A如何高效替换ON品牌NGTB25N120FL2WG，从参数对比到选型技巧，助力电子工程师优化电路设计并提升供应链稳定性。
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11 22 2025

​TO-247封装IGBT单管：替换SGT75T65SDM1P7型号IGBT单管可使用的电路设计有这些！

​FHA75T65V1DL作为一款飞虹第七代场截止（Trench Field Stop VII）技术工艺设计的IGBT单管，采用TO-247封装，具备具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流。可广泛适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关等电路设计。
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09 08 2026

国产MOS管100N07B限时试样！替代RU7088的电动车控制器优选方案

本文详解国产MOS管100N07B在电动车控制器中的应用优势，对比进口型号RU7088的性能参数，提供选型指导与免费试样通道。
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04 28 2026

MOS管选型避坑指南：170N8F3A为何能完美替换STP170N8F7？

锂电池保护板市场爆发，工程师选型常遇假货、散热难题。飞虹半导体170N8F3A以SGT工艺实现极低导通内阻，参数对标STP170N8F7，为国产替代提供高性价比方案。本文从实际应用场景解析选型要点，助力采购与研发避开坑点。
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12 14 2025

还在为MOS管选型发愁？这款国产170N1F4A完美替换HYG042N10NS1P！

针对逆变器应用场景，深度解析飞虹半导体170N1F4A MOSFET的性能优势、参数对比及实际应用方案，提供国产优质替代方案选择。
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05 03 2026

MOS管选型避坑指南：这款能替换英飞凌的场效应管，凭什么成为逆变器工程师新宠？

本文从专业电子工程师视角，剖析一款国产SGT MOS管250N1F2A在DC-AC逆变器与MPPT控制器两大领域的应用优势。结合参数实测数据，详解其如何实现低内阻、低热阻、高一致性，并实现与英飞凌IPP030N10N3G的平替。mos管工厂飞虹半导体的全检流程也为选型安全加码。
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10 31 2025

国产IGBT管FHA25T120A限时试样！替换NGTB25N120FL2WG成本直降30%

本文通过电动工具厂商实际案例，解析国产优质IGBT单管FHA25T120A在参数匹配、成本优化及供应链稳定性方面的优势，为采购人员提供选型参考。
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08 04 2026

STP170N8F7替换别盲选？看懂这3点，让你放心用国产MOS管替代

很多工程师在想用国产场效应管替换STP170N8F7时，常因参数匹配、可靠性而犹豫。本文以飞虹170N8F3A为例，解析关键参数、工艺特点，帮你理清选型思路。
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10 29 2025

国产场效应晶体管FHP3205D限时特惠，完美替换IRF3205，助力300W逆变电源升级！

在电子元器件国产化浪潮下，飞虹半导体推出的FHP3205D场效应晶体管以其优异的性能和稳定的供货，成为IRF3205的理想替代选择。本文将深入分析FHP3205D在300W/12V输入的逆变器的前级电路中的应用优势。
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06 05 2026

MOS管选型还在纠结？这颗国产场效应管直接替换IPP037N08N3G，成本直降30%

飞虹半导体SGT MOSFET 170N8F3A可完美替代IPP037N08N3G，参数对标且性价比更高。本文详细解析替换逻辑、电参数对比及应用场景，帮助采购和工程师快速决策。
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08 24 2026

别再盲选IGBT单管：20T60A替换NCE20TD60BF，IGBT管厂家讲透

面对高频车载正弦波逆变器与户外储能电源的选型需求，20T60A作为可替换NCE20TD60BF的国产IGBT单管，在导通压降、关断损耗与封装兼容性上表现扎实。本文从硬开关应用场景出发，梳理替换选型的关键观察点。
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