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飞虹半导体

FHP100N03E/FHU100N03E/FHD100N03E

发布时间:2021-10-12 14:14:51

行业通用名:HYG045N03LA1D、85N03、100N03等

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  • 飞虹100N03D采用先进的trench工艺来获得极低的RDSON导通内阻,广泛使用在榨汁杯、锂电池保护板、负载开关、太阳能路灯控制器、电动工具等直流电机驱动控制;其它mos管品牌替代型号:HYG045N03LA1D、85N03、100N03。

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产品参数

Part Number Polarity Package Vgs(±V) VTH(V) ID(A) BVdss(V) Rdson[Ω]
(typ)
型号 极性 封装形式 Vgs=10v
(typ)
Vgs=10v
(max)
Vgs=4.5v
(typ)
Vgs=4.5v
(max)
FHP100N03E/FHU100N03E/FHD100N03E
N
TO-220 TO-251 TO-252
20
1.0-2.0
100
30
3.8
4.9
5.4
6.6

产品详情

飞虹100N03D产品描述

飞虹100N03D,N-channel Trench MOSFET,采用先进的trench工艺来获得极低的RDSON导通内阻,广泛使用在榨汁杯、锂电池保护板、负载开关、太阳能路灯控制器、电动工具等直流电机驱动控制其它mos管品牌替代型号:HYG045N03LA1D、85N03、100N03。


飞虹100N03D产品特点

飞虹100N03D100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),高雪崩耐量,可靠性高。


飞虹100N03D应用举例】


1、BMS----3串锂电池保护板,MOS起充放电保护功能。

锂电池保护板用mos管   


2、12V-太阳能路灯控制器:MOS起充放电保护、电池防反接保护功能。

太阳能控制器用mos管

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