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02 17 2025

2025户外储能电源常用MOS管：FHP160N06V代换HY3606P型号参数应用！

​2025年是中国企业出海的又一元年，对于在户外储能电源领域，高效能与可靠性是产品的核心需求。厂家如何选择一款兼顾低损耗、高电流承载能力的MOS管来应用是让产品安全出海的一个重要话题。
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06 21 2025

国产MOS管新品:FHP140N08V无缝代换4款常见场效应管型号参数!

不管是车载高频逆变器还是太阳能离网工频逆变器都会存在 DC-DC电路,而在电路开发的过程中工程师是需要结合不同的电路特性来选型的。因此对于DC-DC电路怎么选型这一问题常常让工程师困扰。
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03 01 2025

2025年国产MOS管新品：FHP1404V无缝代换1404、4004型号参数！

针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。
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01 04 2025

2025年国产MOS管新品：FHP160N06V无缝代换HY3606P、IRFB3306PbF型号参数

Trench工艺通过其深且窄的沟槽结构、高精度刻蚀与填充、垂直结构集成、兼容性强等特点，能够满足大多数电子设备对高性能、高密度和高可靠性的需求，广泛应用于逆变器、同步整流、电机控制等领域。
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05 30 2025

2025年国产MOS管新品：FHP4310V无缝代换HY3410、IRFB4310PBF型号参数

MOS管的品质直接影响到音响功放电路设计的效果,而其中可靠性、稳定性是对于音响功放设计最看重的要求效果之一。因此对于电路研发工程师,如何选择好的、能代换IRFB4310PBF型号参数用于音响功放中是非常重要的。
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01 04 2025

FHP160N06V

FHP160N06V采用先进的trench技术，在降低了导通损耗的同时，还提高了开关性能和雪崩能量。该产品采用TO-220封装，可用于各种功率开关电路。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
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01 12 2025

代换CS160N06型号参数的MOS管，用于电机驱动控制器电路！

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06 21 2025

82V、140A场效应管,能代换FTP11N08A型号参数用于不间断电源电路!

​MOS管是UPS将电池直流电高效、可靠地转换成交流电供给负载的核心执行元件。在实际选用产品时，工程师现在会纠结于仍然使用MOS管还是使用IGBT呢?MOSFET在低压、大电流应用中的效率通常优于IGBT(绝缘栅双极晶体管)，因此高压选IGBT，低压选MOS管。
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07 30 2025

650V、75AIGBT单管，能代换NCE75ED65VT型号参数用于逆变器电路!

飞虹半导体始终在工程师角度来思考推荐，今天推荐的这一款IGBT单管是能代换NCE75ED65VT型号适用于各类逆变器中。
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08 27 2025

​代换FTP1404型号参数：250A、45V国产MOS管适用高频逆变器！

半导体领域是一个行业领域性的发展，飞虹半导体为了能在国产化替代中发挥自身力量，核心研发了一款能代换FTP1404型号参数且适合用于高频逆变器的MOS管。
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06 21 2025

代换IRFB4310PBF型号参数的国产MOS管,助力UPS提升转换效率!

​在UPS(不间断电源)系统的核心功率电路设计中,MOS管的性能、效率与可靠性直接决定了整机的转换效率、输出质量、热管理和长期运行稳定性。因此，对于UPS研发工程师而言，选择能够完美代换IRFP4310PBF参数且满足UPS严苛要求的高性能MOS管至关重要。
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07 29 2025

650V、75AIGBT单管，能代换JT075N065WED型号参数用于变频器电路！

不同的变频器对于IGBT单管使用的关注点会有所区别，常见使用的关注点会有开关特性、低导通损耗 (VCE(sat))、良好的热性能 、反向并联二极管性能等。因此，在选择可以代换JT075N065WED型号IGBT单管用于变频器时，工程师必须重点评估上述关键需求点。
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07 07 2025

82V、140A场效应管，能代换FTP11N08A型号参数用于DC-DC全桥拓扑电路！

针对48V供电的太阳能离网工频逆变器的领域，尤其是DC-DC全桥拓扑电路中，高效的电能转换与功率密度提升极度依赖核心功率器件的精准选型。功率 MOSFET 因其优异的开关速度、低导通损耗和可控性，成为中低压、大电流 DC-DC 全桥拓扑中开关管与同步整流管的靠谱选择。
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03 05 2025

保持前沿，该怎样用FHP120N7F6Amos管替代国际型号

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07 07 2025

国产IGBT单管新品：FHA75T65V1DL无缝代换5款常见IGBT型号参数!

国产IGBT单管新品，采用飞虹半导体第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术工艺设计，能达到显著降低导通损耗和开关损耗。使产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。
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07 30 2025

82V、140A场效应管，能代换NCE82H140型号参数用于同步整流！

​MOSFET是同步整流管在电路设计中的理想选择，其优异的低导通电阻(Rds(on))、快速的开关速度和可控性是实现高效、低损耗整流的关键。如何选择选择具备低Rds(on)、优异体二极管特性及快速开关性能的MOS管对于同步整流电路是至关重要。
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02 13 2025

国内代替进口FHP100N07C型号：FHP120N7F6A应该怎样在不间断电源中应用？

跟着技术的不断提升，电力电子器件渐渐开展成各个应用产业绝对必要的一部分。不间断电源、DC/DC电源转换器等领域对耐压MOSFET这一完成灵活控制和调节电流的器件的须要不止增多。在设计不间断电源电路时，决定一款先进的的国内耐压MOSFET器件来代替FHP100N07C型号极度紧要。
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02 25 2025

增添电路转换效率，FHP170N1F4AMOS管的应用参数探讨

FHP170N1F4A成功代替了HYG042N10NS1P，又在多数全国72V电动三轮车工厂中可以收获大规模被采用。乐意举荐清楚其详细技术参数：
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01 22 2025

代换HY3906P型号参数的国产MOS管，2025推荐不间断电源使用！

不间断电源在很多工厂的生产线上都是非常重要的存在，依靠不间断电源可以确保产线的安全，避免损失。因此不间断电源厂家如何让其产品性能更优才可以确保市场对其产品的认可。
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03 17 2025

中低压MOS管打造高效后备电源电路：FHP170N1F4A和全球型号HYG042N10NS1P替代参数

飞虹半导体的FHP170N1F4A型中低压MOS管，172安和100V的组合为后备电源电路带来控制能力的提升增多，并化解可靠性不高、产品寿命短等艰难问题。
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