在各类工业与消费类电源设计中，如DC/DC转换器、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源等，功率MOSFET的选型对系统效率、散热性能及整体可靠性具有决定性影响。

常见设计中，工程师常选用STP110N8F6等中低压MOS管作为功率开关器件。

随着国产半导体技术的日趋成熟，越来越多的电源设计开始转向国产高性能MOS管。FHP100N8F6A作为一款性能优异的国产N沟道增强型功率MOSFET，不仅具备与STP110N8F6兼容的电气参数，更在栅极特性和开关性能方面表现出色，非常适用于高效率电源系统的设计。

今天我们来了解为什么FHP100N8F6A型号场效应管能够替代STP110N8F6型号参数在各类电源设计中使用。

首先除了基本规格如 85V 耐压、120A 连续电流能力外，FHP100N8F6A还具有以下对电源设计极为有利的特点：

1、低栅极电荷

2、开关速度快

3、100%经过 Rg 测试

4、极低的FOM(RDSON*Qg)

5、极低的输入电容

6、100%经过雪崩测试

7、100%经过热阻测试

当然除了产品具备的优良特点外，FHP100N8F6A能替代STP110N8F6中低压MOS管型号其还具备优良的参数：

1. Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；

2. ID（A）：120A；BVdss（V）：85V

3. 最大脉冲漏极电流（IDM ）：320A

4. N 沟道增强型场效应晶体管

5. TO-220封装：便于安装散热器，适用于中大功率电源模块。

6. 反向传输电容：18pF

7. 静态导通电阻RDS(on) = 6.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =5.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V

对于DC/DC转换器、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源等电源设计相关的电路想要选择好的MOS管产品应用，建议选用FHP100N8F6A型号场效应管。

除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

直接百度输入"飞虹半导体"即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。