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07 29 2025

650V、75AIGBT单管，能代换JT075N065WED型号参数用于变频器电路！

不同的变频器对于IGBT单管使用的关注点会有所区别，常见使用的关注点会有开关特性、低导通损耗 (VCE(sat))、良好的热性能 、反向并联二极管性能等。因此，在选择可以代换JT075N065WED型号IGBT单管用于变频器时，工程师必须重点评估上述关键需求点。
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05 24 2025

代换HY3906P、IRFB7537PBF型号参数的MOS管：户外储能电源专用！

研发户外储能电源的福利帖，究竟其逆变模块中的DC-DC推挽拓扑升压电路要怎么选择对的国产MOS管型号才能代换HY3906P、IRFB7537PBF型号？
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01 20 2025

FHA75T65A耐压IGBT单管，国内品质的代换全球仙童FGH75N65SHDT型号

录像机电子技术员在代换仙童FGH75N65SHDT型号耐压IGBT单管运行时，要求注重众多核心细节。好比说，耐压IGBT单管的性能参数：额定电流会不会得到了75安、电压会不会得到了650伏等，叙述都密不可分器件的工作效率。除了以上因素，安全工作区(SOA)和饱和压降(VCE(sat))也是重点环节。
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03 29 2025

场效应管选型难题？飞虹100N08B代换STP75NF75，轻松解决逆变电源设计痛点

在逆变电源设计中，场效应管选型常面临性能适配、成本控制和供货稳定等难题。飞虹半导体的100N08B场效应管，完美代换STP75NF75，提供低内阻、耐冲击特性，助力高效稳定设计。立即了解，优化您的电源解决方案！
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07 30 2025

650V、75AIGBT单管，能代换NCE75ED65VT型号参数用于逆变器电路!

飞虹半导体始终在工程师角度来思考推荐，今天推荐的这一款IGBT单管是能代换NCE75ED65VT型号适用于各类逆变器中。
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07 07 2025

650V、75A IGBT单管，能代换IKW75N65ET7型号参数用于不间断电源电路!

在电路设计中的产品选型，必须要考虑如何在价格合理的范围内选择性价比高的产品，但又能让产品的性能做到极致。比如中等功率的UPS在选择代换IKW75N65ET7型号IGBT单管时，该如何考虑呢？
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07 29 2025

650V、75AIGBT单管，能代换SGT75T65SDM1P7型号参数用于户外储能电源！

户外储能电源中的DC-AC逆变模块（放电）、AC-DC整流模块（充电）都会使用到IGBT单管。而从设计的专业角度可了解到，不同户外储能电源对于代换SGT75T65SDM1P7型号IGBT单管使用的关注点都会有所区别。
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08 02 2025

代换JT075N065WED型号参数的国产IGBT单管，650V、75A适配电焊机电路使用！

相信很多电子工程师都会有设计疑问，比如电焊机电路中的IGBT单管该如何选择才会拥有更高性价比的型号参数呢？尤其是要考虑如何能代换JT075N065WED型号IGBT单管的产品。 飞虹半导体始终在电子工程师角度来思考推荐，今天推荐的这一款IGBT单管是能代换JT075N065WED型号适用于各类电焊机应用。
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06 21 2025

代换IRFB4310PBF型号参数的国产MOS管,助力UPS提升转换效率!

​在UPS(不间断电源)系统的核心功率电路设计中,MOS管的性能、效率与可靠性直接决定了整机的转换效率、输出质量、热管理和长期运行稳定性。因此，对于UPS研发工程师而言，选择能够完美代换IRFP4310PBF参数且满足UPS严苛要求的高性能MOS管至关重要。
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01 12 2025

代换CS160N06型号参数的MOS管，用于电机驱动控制器电路！

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06 21 2025

82V、140A场效应管,能代换FTP11N08A型号参数用于不间断电源电路!

​MOS管是UPS将电池直流电高效、可靠地转换成交流电供给负载的核心执行元件。在实际选用产品时，工程师现在会纠结于仍然使用MOS管还是使用IGBT呢?MOSFET在低压、大电流应用中的效率通常优于IGBT(绝缘栅双极晶体管)，因此高压选IGBT，低压选MOS管。
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01 11 2025

代换IRFB7537PBF型号参数的国产MOS管，2025推荐户外储能电源使用！

MOS管在户外储能电源里通常扮演功率开关的作用，它是确保整个产品系统高效运行和长久稳定的重要一环。尤其是在逆变模块中的DC-DC推挽拓扑升压电路上使用，它充当高频开关操作，实现直流电与交流电之间的转换，提升系统效率。
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08 21 2025

国产SGTMOSFET突围：飞虹100N08B如何替代STP75NF75实现逆变电源高效升级？

本文深度解析飞虹半导体100N08B型SGTMOSFET在逆变电源领域的性能优势，对比国际品牌STP75NF75的参数差异，为采购决策者提供兼顾性能与成本的国产替代方案。
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08 27 2025

​代换FTP1404型号参数：250A、45V国产MOS管适用高频逆变器！

半导体领域是一个行业领域性的发展，飞虹半导体为了能在国产化替代中发挥自身力量，核心研发了一款能代换FTP1404型号参数且适合用于高频逆变器的MOS管。
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02 17 2025

无刷电机都选用的国产MOS管，代换HY3606P型号用于控制器！

据相关数据了解：2024年，全球BLDC控制器市场规模达到28.7亿美元，并预计到2030年将达到45.5亿美元，年复合增长率为8.0%。面对这一相对高速增长的市场，厂家唯有做好产品质量才能抓住市场的机遇。
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02 14 2025

MOS国产替代，控制器中低压MOS批发型号推荐

据描述：甘技术员在寻觅纯国产中低压MOS国产替代KECMOS型号，关注结型、绝缘栅型、封装等参数。希望寻觅质量贼好的中低压MOS。 因此，咨询飞虹中低压MOS厂家希望其提供适合控制器使用的纯国产中低压MOS批发方案。 飞虹半导体中低压MOS厂家了解后，当即派遣团队根据于甘生的需求。
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01 04 2025

2025年国产MOS管新品：FHP160N06V无缝代换HY3606P、IRFB3306PbF型号参数

Trench工艺通过其深且窄的沟槽结构、高精度刻蚀与填充、垂直结构集成、兼容性强等特点，能够满足大多数电子设备对高性能、高密度和高可靠性的需求，广泛应用于逆变器、同步整流、电机控制等领域。
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03 29 2025

2025年国产MOS管新品：70N11V无缝代换JCS60N10、IRF3710型号参数！

​音响功放、步进电机驱动器在设计电路时卡在怎么选型的问题？想用JCS60N10、IRF3710这两款型号，但又担心成本与供应链的问题？
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01 22 2025

代换HY3906P型号参数的国产MOS管，2025推荐不间断电源使用！

不间断电源在很多工厂的生产线上都是非常重要的存在，依靠不间断电源可以确保产线的安全，避免损失。因此不间断电源厂家如何让其产品性能更优才可以确保市场对其产品的认可。
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06 10 2025

FHP140N08V

FHP140N08V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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