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飞虹半导体

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12 04 2025

国产IGBT单管：替换NGTB25N120FL2WG型号参数助力电焊机电路设计！

在电焊机应用中，IGBT单管的耐压能力、开关特性、导通损耗和可靠性直接影响整机的焊接性能、能耗水平和使用寿命。飞虹半导体推出的FHA25T120A（TO-247封装）是一款专为电焊机优化的场沟槽栅截止型IGBT，采用Trench Field Stop技术，在导通损耗与关断损耗之间实现良好的平衡，为电焊机主机厂提供了高性能的国产IGBT单管解决方案。
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06 21 2025

代换IRFB4310PBF型号参数的国产MOS管,助力UPS提升转换效率!

​在UPS(不间断电源)系统的核心功率电路设计中,MOS管的性能、效率与可靠性直接决定了整机的转换效率、输出质量、热管理和长期运行稳定性。因此，对于UPS研发工程师而言，选择能够完美代换IRFP4310PBF参数且满足UPS严苛要求的高性能MOS管至关重要。
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06 21 2025

82V、140A场效应管,能代换FTP11N08A型号参数用于不间断电源电路!

​MOS管是UPS将电池直流电高效、可靠地转换成交流电供给负载的核心执行元件。在实际选用产品时，工程师现在会纠结于仍然使用MOS管还是使用IGBT呢?MOSFET在低压、大电流应用中的效率通常优于IGBT(绝缘栅双极晶体管)，因此高压选IGBT，低压选MOS管。
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07 30 2025

82V、140A场效应管，能代换NCE82H140型号参数用于同步整流！

​MOSFET是同步整流管在电路设计中的理想选择，其优异的低导通电阻(Rds(on))、快速的开关速度和可控性是实现高效、低损耗整流的关键。如何选择选择具备低Rds(on)、优异体二极管特性及快速开关性能的MOS管对于同步整流电路是至关重要。
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12 29 2025

代换IRF1404PbF型号参数：250A、45V国产MOS管适用高频逆变器！

高频逆变器的发展核心趋势是往更高效率、更高功率密度和更智能的并网性能发展。飞虹半导体始终在为国产化的分立器件研发发力，我们在2025年推出的一款FHP1404V型号MOS管是能代换IRF1404PbF型号参数且适合用于高频逆变器的MOS管。
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07 29 2025

650V、75AIGBT单管，能代换JT075N065WED型号参数用于变频器电路！

不同的变频器对于IGBT单管使用的关注点会有所区别，常见使用的关注点会有开关特性、低导通损耗 (VCE(sat))、良好的热性能 、反向并联二极管性能等。因此，在选择可以代换JT075N065WED型号IGBT单管用于变频器时，工程师必须重点评估上述关键需求点。
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11 22 2025

国产IGBT单管：替换SGT20T60SDM1P7型号参数助力高频车载逆变器电路设计！

在电子制造业国产化替代浪潮下，越来越多的工程师在了解飞虹半导体研发的FHF20T60A型号IGBT单管，通过精准参数设计与工艺优化，该款IGBT单管已实现可代换SGT20T60SDM1P7的型号参数，为高频车载逆变器电路等场景提供可靠解决方案。
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07 07 2025

82V、140A场效应管，能代换FTP11N08A型号参数用于DC-DC全桥拓扑电路！

针对48V供电的太阳能离网工频逆变器的领域，尤其是DC-DC全桥拓扑电路中，高效的电能转换与功率密度提升极度依赖核心功率器件的精准选型。功率 MOSFET 因其优异的开关速度、低导通损耗和可控性，成为中低压、大电流 DC-DC 全桥拓扑中开关管与同步整流管的靠谱选择。
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06 21 2025

国产MOS管新品:FHP140N08V无缝代换4款常见场效应管型号参数!

不管是车载高频逆变器还是太阳能离网工频逆变器都会存在 DC-DC电路,而在电路开发的过程中工程师是需要结合不同的电路特性来选型的。因此对于DC-DC电路怎么选型这一问题常常让工程师困扰。
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06 26 2025

FHA75T65V1DL

FHA75T65V1DL 采用飞虹第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术工艺设计，使产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助；并且产品拥有良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。该产品广泛适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关。
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07 07 2025

国产IGBT单管新品：FHA75T65V1DL无缝代换5款常见IGBT型号参数!

国产IGBT单管新品，采用飞虹半导体第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术工艺设计，能达到显著降低导通损耗和开关损耗。使产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。
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07 30 2025

650V、75AIGBT单管，能代换NCE75ED65VT型号参数用于逆变器电路!

飞虹半导体始终在工程师角度来思考推荐，今天推荐的这一款IGBT单管是能代换NCE75ED65VT型号适用于各类逆变器中。
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08 27 2025

​代换FTP1404型号参数：250A、45V国产MOS管适用高频逆变器！

半导体领域是一个行业领域性的发展，飞虹半导体为了能在国产化替代中发挥自身力量，核心研发了一款能代换FTP1404型号参数且适合用于高频逆变器的MOS管。
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04 06 2026

选型遇阻？这款国产IGBT管完美代换ON明星型号，参数解析来了！

当工程师指定ON品牌的NGTB25N120FL2WG型号却面临交期或成本压力时，采购人员如何破局？本文深度解析飞虹半导体FHA25T120A IGBT管的关键参数，揭示其为何能成为可靠的直接代换选择，并为采购与供应链伙伴提供清晰的选型评估思路。
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10 18 2025

国产化优选：替换STP110N8F6型号MOS管助力锂电池保护板降本增稳！

在锂电池保护板的设计中，MOS管作为关键功率开关器件，直接影响系统的安全性、效率和可靠性。选择合适的MOS管，不仅关系到电池的过充、过放、过流保护性能，也直接影响整机的功耗与热管理表现。
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12 06 2025

国产场效应管：替换CS20N50型号MOS管助力逆变电源电路设计！

逆变电源、工业开关电源、电焊机及高压电机驱动等应用，对核心功率开关器件有严苛要求：高耐压、大电流、低损耗及出色的抗冲击能力。TO-220封装的FHP20N50B型号MOS管凭借其出色的散热性能与参数特点，成为这类中高功率应用的选型推荐。
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09 30 2025

替代IRFB4310PBF型号参数的国产MOS管，助力高频逆变器提质抢市场！

高频逆变器的应用在2025年从传统的储能、光伏发电、工业电源等领域已经扩展到电动汽车充电桩、激光控制、轻型电动车等。如何提升产品质量抢占更多市场，不仅要从选择能替代IRFB4310PBF型号的MOS管，更要考虑供应链稳定性！
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10 25 2025

国产化优选：替换IPP052N08N5型号MOS管助力锂电池保护板降本增稳！

锂电池保护板就像是电池组的“智能大脑”和“安全卫士”，目前13到17串的锂电池保护板已经广泛用于电动自行车、电动摩托车、电动工具、航模电池组、户外电源、太阳能、风能路灯等产品。
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11 11 2025

TO-220封装场效应管：替换IPP037N08N3G型号MOS管可使用的电路设计有这些！

​FHP170N8F3A作为一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具备优异的电气特性与可靠性
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12 15 2025

代换IRFB3306PbF型号参数的国产MOS管，165A、60V更适合户外储能电源！

华宝新能作为储能电源的重要品牌，他们依托核心的产品创新能力不断提升其产品在千亿级别的市场占有率。根据EESA数据，预计2023年全球户储新增装机规模达16.1GWh，对应超过100亿人民币市场规模。
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