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产品参数
| Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(mΩ) | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHP1906A | N | TO-220 | 20 | 2~4 | 120 | 60 | 5.2 | 6 | ||
产品详情
【飞虹1906A产品类型】
N-channel Trench MOSFET
【飞虹1906A产品描述】
飞虹1906A采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM(RDSon*Qg),广泛使用在逆变器、储能电源上。其他MOS管品牌替代型号:1906 等。
【飞虹1906A产品特点】
100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,高雪崩耐量,可靠性高,低Qgd,低RDSon。
【飞虹1906A应用举例】

FHP1906A适用于储能电源和各类逆变器的DC-DC升压模块的推挽结构电路中,例如原理图上的Q1-Q2。
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本文通过真实案例分析,阐述MOS管选型不当导致的储能电源效率问题,并介绍国产飞虹半导体FHP1906A如何通过优异参数解决行业痛点。
飞虹半导体推出的FHP1906A场效应管,凭借先进的Trench工艺和卓越的性能参数,成为储能电源DC-DC升压模块的理想选择。本文将详细介绍其技术优势和应用案例,帮助电子工程师实现精准选型。
面对复杂的MOSFET选型问题,飞虹半导体的FHP1906A凭借其卓越性能和稳定供货,成为储能电源设计的理想选择。本文深入解析FHP1906A的关键参数和应用优势,助您轻松应对设计挑战。
深度解析飞虹半导体Trench工艺MOS管FHP1906A在储能电源推挽电路中的性能优势,对比传统1906型号的升级特性,提供专业选型指南。
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