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对于快充头电子技术员而言,在代换ZMS100N10N型号n沟道MOSFET时,须要谨慎考虑多个核心方面。首先是n沟道MOSFET的性能参数,如电流是否达到了60安、电压是否达到了100v等,前述参数与器件的工作效率存在直接相互关联的。
宣工程师在寻获国内n沟道MOSFET代换ZMS100N10N型号MOSFET。预期寻获60A、100V,质量太好的n沟道MOSFET。
1、静态导通电阻RDS(ON)(VGS=4.5V):12.5mΩ(Typ)、15.5mΩ(Max)
2、N沟道增强型场效应晶体管
3、最高栅源电压Vgs:±20V
4、损耗低
5、反向传输电容:23pF
6、具有60安电流、100v电压
7、VGS(th):1.2-2.4V
n沟道MOSFET在快充头中控制稳健,质量太好!
为了抬升快充头电路的功率开关性能,飞虹半导体强烈建议挑选型号为FHN60N1F10LA的n沟道MOSFET。这款额定电流60安、额定电压100v的n沟道MOSFET,能够满足真正排解产品可靠性弱、效率不高、电磁影响等障碍难题。
飞虹半导体提供出的FHN60N1F10LA型号n沟道MOSFET,是快充头、锂电池保护和降压型DC/DC转换器等电子产品厂商的优选,解决电路开发中的各种问题。保障元器件供应,详情请联系免费试样热线:400-831-6077!
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