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产品参数
| Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(Ω) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | ||||
FHP640A | N | TO-220 | 30 | 2~4 | 18 | 200 | 0.125 | 0.18 |
产品详情
【产品描述】
FHP640A,可适用于48V/60V输入逆变器前级DC-DC升压电路(Q1-Q2),也可适用于AC110V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路(Q3-Q6)。可替代IR场效应管品牌型号:IRF640;
【产品特点】
飞虹640Amos管,一致性好,高可靠性,雪崩耐量高。
【应用举例】
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当48V电流在DC-AC全桥逆变电路中呼啸而过,飞虹半导体FHP640A MOSFET以200V耐压和72A脉冲电流展现国产器件的硬实力。本文揭示国产MOS管在供货周期、雪崩测试、热阻控制等维度的真实竞争力。
本文深度解析飞虹FHP640A MOSFET在48V/60V逆变器前级DC-DC升压电路中的代换方案,从雪崩耐量测试到动态特性匹配,帮助工程师突破国产器件选型困境。
当工程师在48V/60V逆变前级电路遭遇散热瓶颈时,飞虹半导体FHP640A以200V耐压与72A脉冲电流展现国产MOS管的雪崩耐量优势,TO-247封装下0.73℃/W热阻值重塑功率器件选型逻辑。
本文深度解析国产FHP640A场效应晶体管如何在高性能DC-DC升压电路中替代IRF640,从参数对比、供货优势到实际应用案例,为工程师提供可靠的本土化解决方案。
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