对于24V蓄电池供电的UPS不间断电源，逆变级功率管的选型直接关系到整机效率、散热成本和长期运行可靠性。工程师们往往需要在导通损耗、开关损耗、电流裕量和热管理之间反复权衡。

飞虹半导体推出的FHP230N06V4，正是一款针对上述需求设计的N沟道功率MOSFET。它可以替代HY3906P型号进行使用。

1、 核心参数速览

FHP230N06V4在Tc=25℃条件下，漏源电压60V，连续漏极电流达230A（硅极限），脉冲电流更高达640A；导通电阻典型值仅2.5mΩ，最大值3.0mΩ；栅极电荷典型值160nC；结到管壳热阻低至0.48℃/W，耗散功率313W；单脉冲雪崩能量额定值1740mJ（测试值435mJ），工作结温范围-55℃～+175℃。

其中，2.5mΩ的超低导通电阻对比常规4mΩ级别的同类产品优势明显，配合0.48℃/W的低热阻，为逆变级提供了更优的效率表现和散热条件。

2、 工艺与技术特色

优异的参数指标离不开工艺支撑。FHP230N06V4采用飞虹特色沟槽技术（FH-Trench），在元胞密度和沟道结构上进行了深度优化，从而在保持低导通电阻的同时，将栅极电荷控制在较低水平，配合典型值仅629pF的低反向传输电容Crss，器件开关速度更快，尤其适合UPS逆变器中高频SPWM调制的工况。在品质管控方面，飞虹对每一颗器件执行100%雪崩测试、100%热阻测试以及100%Rg测试，确保批量应用的一致性。

3、 覆盖多种应用场景

将FHP230N06V4置于24V蓄电池UPS的实际工况中，2.5mΩ的超低导通电阻意味着在大电流逆变路径上导通损耗被大幅压缩，直接提升整机转换效率；0.48℃/W的低热阻使得同等功率下结温升幅显著降低，可用更小散热器实现同等散热效果；100%雪崩测试保证每颗器件在电网切换、负载突变等场景中具备充足的电压尖峰耐受能力。

除UPS外，FHP230N06V4同样适用于车载高频逆变器、工频逆变器、户外储能电源等各类低损耗、大电流电力电子场景。

飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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