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飞虹半导体

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02 09 2025

提升BMS性能，国内FHS200N4F3A场效应管有效代换IPP041N04NG

顺应科技的迅猛发展，各行业对绝缘栅双极晶体管的要求累计增加。重点是在BMS、太阳能逆变器等领域，对于控制与调节电流的器件——场效应管的要求是亟需解决。究竟如何决计一款国内能代换IPP041N04NG型号用于BMS电路中的显得需要。
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03 29 2025

2025年国产MOS管新品：70N11V无缝代换JCS60N10、IRF3710型号参数！

​音响功放、步进电机驱动器在设计电路时卡在怎么选型的问题？想用JCS60N10、IRF3710这两款型号，但又担心成本与供应链的问题？
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02 16 2025

纯国产IGBT型号：FHA60T65A，代换仙童FGH60N60SMD参数的秘密

在调脉宽式逆变器电子工程中，选拔仙童FGH60N60SMD型号IGBT需要设计师着重注重其性能指标，好像电流是否满足60a、额定电压是否得到了650v等，触及指标与调脉宽式逆变器电路的工作效率直接牵涉。此外，器件的电压上升率(dv/dt)和封装类型也重要方面，先进的电压上升率(dv/dt)性能能够满足抬升调脉宽式逆变器的质量。
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10 10 2025

换一种IGBT选型思考：FHA60T65A能代换仙童FGH60N60SMD的参数

IGBT是照明变频器的主要关注点。因而，想知道哪个IGBT公司可以算是适合照明变频器用的IGBT产品？
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07 26 2025

国产SGTMOSFET突围记：200N6F3A如何让工程师放弃进口代换IPP04N06N3？

当某新能源企业因进口MOS管断货面临停产危机时，飞虹半导体200N6F3A以3.5mΩ超低导通电阻和392mJ雪崩能量完成国产替代，揭秘这款SGTMOSFET在DC-DC升压结构中的技术突破。
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10 01 2025

国产MOS管如何完美代换英飞凌IPP030N10N3G？场效应晶体管选型指南

本文深入分析国产SGT MOSFET 250N1F2A在DC-AC逆变器应用中的性能优势，对比英飞凌IPP030N10N3G的关键参数匹配度，为工程师提供可靠的国产替代方案。
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03 01 2025

2025年国产MOS管新品：FHP1404V无缝代换1404、4004型号参数！

针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。
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02 11 2025

理想代换品：国内FHA75T65AIGBT的全面技术评估

对于按摩器变频器电子工程师而言，在代换仙童FGH75N65SHDT型号IGBT时，须要认真对待多个关键方面。首先是IGBT的性能参数，如额定电流会不会达到了75安、电压会不会达到了650V等，上述参数与器件的工作效率存在密切关系的。
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04 06 2025

如何选择高压IGBT？飞虹FHA60T65A代换仙童FGH60N60SMD的五大理由

了解如何选择高压IGBT，飞虹半导体的FHA60T65A为何成为代换仙童FGH60N60SMD的理想选择，提升电视变频器性能的五大理由。
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05 17 2025

代换经典型号IRF3710，国产MOS管FHP70N11V提升车载逆变器性能！

MOS管在 DC-AC逆变器中承担高频开关与功率转换核心功能，其开关速度、导通损耗、耐压能力及热稳定性直接决定逆变效率。IRF3710虽为经典型号，但国产化方案FHP70N11V凭借更优参数与工艺，可显著提升车载逆变性能并保障供应链安全。
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07 29 2025

650V、75AIGBT单管，能代换JT075N065WED型号参数用于变频器电路！

不同的变频器对于IGBT单管使用的关注点会有所区别，常见使用的关注点会有开关特性、低导通损耗 (VCE(sat))、良好的热性能 、反向并联二极管性能等。因此，在选择可以代换JT075N065WED型号IGBT单管用于变频器时，工程师必须重点评估上述关键需求点。
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03 30 2025

如何选择IGBT管：飞虹半导体FHA40T65A助您轻松代换仙童FGH40N60SFD

了解飞虹半导体的FHA40T65A IGBT管如何成为代换仙童FGH40N60SFD的理想选择，助力户外便携式电源应用，提升产品性能与可靠性。
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05 26 2025

电子技术员的高压igbt管选型：FHA40T65A真的能代换FGH40N60SFD吗？

当不间断电源电子设计师选拔FGH40N60SFD型号高压igbt管进行代换时，需要审慎选择多个重点特性。首先，高压igbt管的性能参数要紧，比方电流可不可以做到了40A、额定电压可不可以做到了600V等，描述参数直接影响着了器件的工作效率。另一考虑因素是，电压上升率和饱和压降(VCE(sat))也主要点。
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11 06 2025

国产MOS管170N8F3A如何完美代换STP170N8F7？场效应管选型技巧揭秘

本文解析飞虹半导体170N8F3A MOS管代换STP170N8F7的参数优势与应用场景，为电子工程师提供选型指导，优化电路设计。
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02 26 2025

大功率场效应管新星，为何FHS110N8F5B能胜任代换IPP052N08N5的任务

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06 04 2025

错误选择IGBT可能导致生产停滞：如何安全替换FGH60N60SMD

了解如何通过选择飞虹半导体的FHA60T65A替代FGH60N60SMD，确保您的直播移动储能电源项目稳定运行，避免因IGBT选择不当带来的风险。
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09 08 2025

轻松代换NCE20TD60BF，FHF20T60A大功率igbt单管成本效益分析

随着者货物市场的持续滋润，电锤驱动对大功率igbt单管要求也逐年增加。电锤驱动领导在面临该以哪种渠道选型大功率igbt单管可有一一对应匹配其电路图的产品呢？
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07 12 2025

MOSFET选型不当导致逆变器失效？国产飞虹250N1F2A完美代换英飞凌IPP030N10N3G

本文剖析车载逆变器MOSFET选型核心痛点，解析飞虹半导体SGT工艺250N1F2A系列如何通过100%雪崩测试等严苛验证，实现与英飞凌IPP030N10N3G的完美代换，助力供应链本土化。
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11 05 2025

飞虹170N8F3A MOS管：多领域应用解析，为何工程师选它代换STP170N8F7

本文探讨飞虹半导体170N8F3A MOS管在储能电源、电机驱动等领域的应用优势，结合参数分析其如何解决工程师选型痛点，助力电路设计优化。
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10 31 2025

国产MOS管200N6F3A如何以卓越性能在储能电源中代替IPP04N06N3

随着户外储能电源市场高速增长，电子工程师在电路选型中面临效率与可靠性挑战。本文解析飞虹半导体200N6F3A MOS管如何通过SGT工艺和低损耗特性，在DC-DC转换领域实现对IPP04N06N3的优化代替。
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