【技术访谈】国产MOS管替代进口方案专家谈 受访人：张工（某新能源车企电源系统首席工程师） 记者：张工您好，近期我们发现很多工程师在车载高频逆变器设计中遇到进口MOS管供货不稳定的问题，您如何看待这个问题？ 张工：确实如此。以我们常用的IRFB7545PbF为例，这款60V/120A的MOS管在12V蓄电池输入的车载高频逆变器DC/DC推挽拓扑中应用广泛。但受国际供应链影响，我们开始关注国产替代方案，比如飞虹半导体的FHP1906V。 记者：在实际应用中，FHP1906V能否完全匹配IRFB7545PbF的性能？ 张工：从关键技术参数来看，FHP1906V表现优异。其导通电阻仅5-6mΩ（VGS=10V时），比同类进口产品低约15%。特别在车载逆变器频繁启停的工况下，它的栅极电荷总量Qg控制在69.5nC，开关损耗降低明显。我们实测其在12V系统推挽电路中的温升比进口型号低3-5℃。 记者：工程师最关心的可靠性方面表现如何？ 张工：飞虹的工艺控制值得肯定。该型号通过100%EAS雪崩测试和100%热阻测试，这是我们选择的关键。在去年某车型项目中，我们将其用于车载高频逆变器的DC/DC推挽拓扑升压电路，累计路测20万公里无失效案例。其特色沟槽工艺使雪崩耐量达到175℃，完全满足汽车级要求。 记者：在参数适配方面需要注意什么？ 张工：重点看三个匹配度：一是VGS(th)阈值电压2-4V，需重新校核驱动电路；二是动态特性中trr仅25.7ns，适合高频应用；三是Rth(j-c)热阻0.9℃/W，建议配合导热垫使用。我们在12V蓄电池逆变器设计中，会预留10%的电压余量。 记者：对考虑国产替代的工程师有什么建议？ 张工：建议分三步走：首先对比数据手册关键参数，特别是Qg和Rds(on)曲线；其次做小批量可靠性验证，重点测试开关损耗和温升；最后优化PCB布局，国产封装可能存在细微差异。飞虹提供完整的SPICE模型，这对仿真很有帮助。 记者：感谢张工的专业分享！看来国产MOS管在车载高频逆变器等领域已具备替代实力。 对于正在寻找IRFB7545PbF替代方案的工程师，不妨免费申请飞虹半导体FHP1906V样品实测验证。百度搜索"飞虹半导体"或拨打免费试样热线：400-831-6077，获取专业技术支持与完整测试报告。