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FHA40T65A拥有40A的电流承载能力和600V的漏极电压,采用沟槽栅场截止型结构,VCEsat典型值仅为1.51V,显著低于FGH40N60SFD。这不仅提升了电源转换效率,还减少了散热设计的复杂度。同时,FHA40T65A自带反向并行快恢复二极管,进一步优化了电路性能。
客户在更换后,供应链稳定性得到显著提升,产品供货周期缩短,生产线不再因元件缺货而停滞。技术支持方面,飞虹半导体提供了详尽的数据手册和参考设计,帮助工程师们快速完成产品升级。此外,FHA40T65A的性价比极高,不仅满足了性能需求,还有效控制了成本。
飞虹半导体凭借FHA40T65A成功替代FGH40N60SFD,为客户带来了显著的经济效益和技术提升。这一案例充分展示了国产半导体产品在高性能应用中的强大竞争力。
如果你也在寻找高性能、性价比优异的耐压IGBT单管,不妨考虑飞虹半导体的FHA40T65A。百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线:400-831-6077,了解更多详情,获取免费试样,助力你的产品设计与供应链优化。
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