国产IGBT单管FHA60T65A限时试样！替换进口FGH60N60SMD成本直降30%

文章类别：IGBT资讯发布时间：2025-12-09 浏览量：224 分享至：

在广州保税区的无尘车间里，资深工程师李工正对着变频器样机皱眉——进口IGBT单管FGH60N60SMD的采购周期已延迟两周，产线面临停摆风险。此时技术总监递来一颗标着"FHA60T65A"的黑色器件："试试这个国产方案，参数对标进口，飞虹半导体的现货48小时能到。"

这个决定让项目迎来转机。实测数据显示，飞虹半导体FHA60T65A在录像机变频器应用中展现出三大优势：首先是1.75V的典型VCEsat值，比进口型号降低15%导通损耗，这意味着在持续60A电流工况下，器件温升可控制在8℃以内；其次650V的BVCES耐压配合N沟道沟槽栅设计，轻松应对变频器高频开关产生的电压尖峰；最让团队惊喜的是其拖尾电流特性，开关损耗较原方案降低22%，直接提升了整机能效。

"我们曾对国产器件有顾虑，"李工在项目总结会上坦言，"但FHA60T65A的实测参数完全匹配设计需求，特别是栅极电荷量仅38nC，驱动电路无需修改就能直接替换FGH60N60SMD。"更关键的是，飞虹半导体位于广州的13000平米封装基地能保证稳定供货，解决了进口器件交期不确定的痛点。

对于电子工程师而言，选型决策需要多维考量。飞虹半导体FHA60T65A通过三项严苛验证：2000小时高温高湿测试显示其失效率<50PPM；ESD防护达到HBM Class 2标准；在-55℃~175℃工况下参数漂移率<3%。这些数据背后是飞虹300人研发团队的技术积累，其MOS管封装产能已位居国内前三。

现针对录像机变频器等应用场景，飞虹半导体推出"国产替代护航计划"：提供FHA60T65A与FGH60N60SMD的交叉对比测试报告，赠送适配不同功率等级的参考设计套件。即日起至本月底，新客户可申请免费试样5颗，并获赠热设计白皮书。

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