国产替代新选择：飞虹半导体耐压IGBT单管FHA25T120A如何破解PFC设计痛点？

文章类别：IGBT资讯发布时间：2026-01-20 浏览量：137 分享至：

【行业观察】国产IGBT单管的技术突围之路
——专访飞虹半导体技术总监张工

记者：近年来国产半导体器件在消费电子领域渗透率持续提升，但工业级应用仍存在认知壁垒。作为国内大功率MOS管重点封装基地，飞虹半导体如何突破技术瓶颈？

张工（飞虹半导体技术总监）：以我们主力产品FHA25T120A为例，这款耐压IGBT单管采用N沟道沟槽栅技术，VCEsat典型值控制在2.05V，关断损耗较同类产品降低15%。特别在PFC电路中，其1200V耐压和25A电流容量可完美替换NGTB25N120FL2WG，实测效率提升2.3%。

【客户见证】供应链优化的现实选择
某电源制造商采购总监李女士分享："去年我们测试FHA25T120A替换进口型号时，最关注三点：一是参数匹配度，二是供货周期缩短至2周，三是成本直降18%。飞虹半导体提供的失效分析报告和PFC参考设计消除了工程师顾虑。"

【技术解析】PFC应用的关键适配
针对采购人员关注的参数匹配问题，FHA25T120A具备三大设计优势：
1. 动态特性：拖尾电流仅35ns，显著降低开关损耗
2. 热管理：采用铜夹片封装，热阻较传统封装降低22%
3. 可靠性：通过1500小时高温高湿测试，失效率<50ppm

【供应链保障】本土化生产的双重价值
飞虹半导体广州保税区生产基地实现从晶圆到成品的垂直整合，具备月产200万只IGBT单管的产能。相较于进口器件6-8周的交付周期，本土化生产可提供安全库存+紧急插单的弹性供应方案。

记者手记：在半导体国产化替代浪潮中，飞虹半导体FHA25T120A等产品正以"参数对标、成本优化、服务增值"的组合策略重构供应链选择逻辑。对于面临元器件短缺和成本压力的采购决策者，这或许是个值得关注的转折点。

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