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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
在电源、电机驱动等高压大电流场景的电路设计中,MOS管的选型如同为系统选择“心脏”。每一份数据手册上的参数,都直接关乎效率、温升乃至整机可靠性。面对琳琅满目的型号与国际品牌高昂的成本,许多工程师不禁思索:是否存在性能相当、供应稳定且更具性价比的选择?今天,我们将目光投向一家深耕功率器件的国产场效应管工厂——飞虹半导体,并通过其明星型号170N8F3A,来剖析优质国产器件的选型价值。
核心洞察:选型不只看Vds与Id,“品质因数(FOM)”与动态参数才是高效与可靠的关键。
飞虹170N8F3A是一款N沟道增强型场效应管,采用先进的SGT(Shielded Gate Trench)工艺。其85V/185A(硅极限)的额定值,使其能从容应对多数工业级电源与电机驱动的需求。然而,其真正的优势隐藏于更深层的参数中:
这些参数共同指向一个结果:在相同工况下,170N8F3A能以更低的温升运行,为工程师的散热设计预留更多空间,提升系统长期运行的可靠性。
在升级或降本设计中,工程师常需寻找性能对标品。国际型号STP170N8F7是85V/170A级别一个常见的参考。飞虹170N8F3A在关键电气参数上与之前者高度兼容,且在以下方面展现了作为替代方案的独特优势:
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