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    飞虹65R190，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。其他MOS管品牌替代型号：IPA60R280CFD7 等。
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    70N11V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-252和TO-220等不同封装外形，可适用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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  • FHF3N150A/FHA3N150A

    低导通内阻，高抗dv/dt能力，100% EAS测试（抗冲击能力强），100% DVDS热阻测试（散热性能好），100% Rg测试，可靠性高（满足工业级可靠性要求）。
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  • FHP60N06B

    飞虹P60N06B采用plane平面工艺来获得抗浪涌冲击能力强特点,广泛使用在汽车功放电源等抗冲击需求的应用场景；其它mos管品牌替代型号：50N06、55N06、65N06。
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  • FHP150N03B/FHS150N03B/FHD150N03B

    飞虹150N03C，采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,广泛使用在UPS、锂电池保护板、负载开关、电动工具等电机驱动控制；其它mos管品牌替代型号：150N03。
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  • FHP3205D

    飞虹3205场效应管，N沟道平面工艺MOS管，适用于开关电源、12V逆变电源、同步整流、300W/12V输入的逆变器的前级电路。其它品牌替代型号：IRF3205。
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  • FHA75T65A

    FHA75T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~60KHz。能比较好的替换：FGH75N65SHDT的IGBT管。
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  • FHN60N1F10LA

    飞虹60N1F10LA，SGT MOSFET DFN5×6-8L ，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流，BLDC电机驱动。
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    飞虹70N04LA，Trench N-Chanel MOSFET PDFN5×6-8L封装产品，具有RDS(ON)小，EAS性能好等特点，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于各类开关应用、BMS、和直流电机驱动(吸尘器/扫地机/电动工具)。其它mos管品牌替代型号：ZM042N04N、AON6236、VS4610AP。
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    飞虹170N1F4A，SGT MOSFET ，采用SGT工艺来获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，并拥有优异的抗短路脉冲电流性能，TO-220产品广泛应用于5G电源,12-24V车载逆变器,48V工频逆变器，AC-DC开关电源，DC/DC转换器，UPS，户外储能电源，BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等，TO-263产品适配电池管理。
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    飞虹100N03D采用先进的trench工艺来获得极低的RDSON导通内阻，广泛使用在榨汁杯、锂电池保护板、负载开关、太阳能路灯控制器、电动工具等直流电机驱动控制；其它mos管品牌替代型号：HYG045N03LA1D、85N03、100N03。
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    飞虹60N1F10A，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。可替代场效管：STP80N10F、SVG10120NAT、IPP126N10N3G
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