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IGBT单管选型号参数大全_国产大功率IGBT厂家_飞虹半导体

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

IGBT兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

因此IGBT是非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。飞虹半导体生产制造的IGBT产品都是经过一系列可靠性研究才最终反馈到市场进行应用的。
型号筛选：
应用电路
应用产品
终端产品
封装形式
VGE(th)（V）
IC-100℃（A）
BVCES（V）
VCESAT(V)(typ/max)
VF(V)(typ/max)
开关电路
栅极驱动电路
全桥电路
控制器
保护板
驱动器
大功率电源
工业电源
电动三轮车
电瓶车
电动摩托车
TO-220F
TO-3PN
TO-247
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