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代换MDP1991场效应管,170N1F4A国产MOS管更适合UPS不间断电源用!

文章类别:精选文章 发布时间:2024-02-23 浏览量:160 分享至:


随着数字化、人工智能化的大时代推进,未来电力能源必然是核心竞争力的重要一环。如何确保电力能源的持续不间断,UPS不间断电源正是其中重要的产品之一。


比如说医疗行业、军事、电信和金融等行业都是需要依赖持续供电且无法承受停电的行业,因此UPS不间断电源的产品质量显得尤为重要。


而对于UPS不间断电源的生产研发厂家,今天飞虹半导体的工程师可以给出的建议是170N1F4A来代换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等型号参数的场效应管来解决元器件的应用问题。


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为何是选用170N1F4A来代换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等场效应管呢?这是因为这一款封装为TO-220封装的MOS管是广泛使用在UPS不间断电源中,得到电源厂商的认可,而且它的100V电压、172A电流参数也是很适合使用在UPS不间断电源中。


具体的产品参数我们再来复盘一下:


具有172A、100V的电流、电压, RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。


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170N1F4A是一款N 沟道增强型场效应晶体管,TO-220封装大小适合电路。


这款产品还具体参数值为:Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;ID(A):172A;BVdss(V):100V。


最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A)、反向传输电容:33pF。


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正因为该MOS管的上述参数,让开关速度快,低 Crss (典型值 33 pF),因此可以减少能量的损耗,从而进一步提高UPS不间断电源的工作效率,确保质量稳定。


如果需要选择强大的电子元器件的供应链厂家来保障。建议了解飞虹国产型号:170N1F4A型号参数来替换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等型号来应用。


172A 、100V的MOS管替换使用,选对的型号参数让企业产品力up。飞虹已获得实用专利及发明15项,并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在UPS不间断电源、各类DC/DC电源、储能电源、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源、园林工具和BLDC电机驱动中获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。


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