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DC-DC电源可用60N1F10A型号代换IPP126N10N3G型号参数场效应管!

文章类别:精选文章 发布时间:2024-03-16 浏览量:173 分享至:

在IT 及消费电子、医疗、新能源、交通等下游需求的增长下,2030 年中国电源行业产值规模有望达 6114 亿元。随着规模的不断发展,技术也在不断提升,对于电源以及DC-DC电源的产品质量也在提升。


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对于DC-DC电源的质量提升,场效应管是一个非常重要的元器件。目前国内可以使用60N1F10A来代换IPP126N10N3G、STP80N10F、SVG10120NAT等型号参数的场效应管来应用在DC-DC电源中。


为何是选用60N1F10A来代换IPP126N10N3G、STP80N10F、SVG10120NAT等场效应管呢?这是因为这一款具有TO-220封装形态的MOS管,是可以广泛使用在DC-DC电源中。


其产品参数为何可以用于DC-DC电源,我们再来复盘一下:


1、具有60A、100V的电流、电压, RDS(on) = 12mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =10.2mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。


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60N1F10A是一款N 沟道增强型场效应晶体管,TO-220封装大小适合电路。


这款产品还具体参数值为:Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;ID(A):60A;BVdss(V):100V。


反向传输电容:10pF、最大脉冲漏极电流(IDM ):240(A)。


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正因为该MOS管的上述参数,在DC-DC电源中起到电能控制和转换,保证电源的高效运行。


如果需要选择强大的电子元器件的供应链厂家来保障。建议了解飞虹国产型号:60N1F10A型号参数来替换IPP126N10N3G、STP80N10F、SVG10120NAT等型号来应用。


60A 、100V的MOS管替换使用,选对的型号参数让企业产品力up。飞虹已获得实用专利及发明15项,并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在DC-DC电源、储能电源、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源、园林工具和BLDC电机驱动中获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。


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