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当锂电池BMS保护板电子技术员进行HYG045N10NS1P型号中低压场效应晶体管的国产替代时,需求专心致志多个关键参数。首先,中低压场效应晶体管的性能参数刻不容缓,如额定电流是否达到172安、电压是否达到100V等,上述参数密不可分着器件的工作效率。另一方面,热阻(Rth(j-c))和温度系数也关键指标,强劲的热阻(Rth(j-c))性能可增进锂电池BMS保护板的质量。
FHS170N1F4A成功国产替代了HYG045N10NS1P,并同时在大批全国锂电池BMS保护板生产公司中获取广泛使用。乐意介绍了解其详细技术参数:
1、雪崩电流:25A
2、最高栅源电压:±20V
3、低栅极电荷
4、具有172安电流、100V电压
5、静态导通电阻RDS(ON):3.4mΩ(Typ)、4.2mΩ(Max)
6、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
FHS170N1F4A型号场效应晶体管在锂电池BMS保护板的应用中认可度高,控制稳步。
为增进锂电池BMS保护板电路的功率开关性能,飞虹半导体乐意介绍采用型号为FHS170N1F4A的中低压场效应晶体管。这款172安、100V的中低压场效应晶体管可事实解决产品可靠性不高、效率不高等困难。
锂电池BMS保护板电路可专用国产FHS170N1F4A型号中低压场效应晶体管。飞虹半导体中低压场效应晶体管制造商力图为锂电池BMS保护板、家电、DC/AC的转换器等电子厂商提供最为稳当的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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