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在电源模块电子工程中,选拔IPP052N08N5型号mos管需要设计师着重重视其性能指标,譬如电流能不能满足147安、电压能不能实现85伏等,前述指标与电源模块电路的工作效率直接关连。需要特别注意的是,器件的门极阈值电压和击穿电压(BVCES)也优先事项,突出的门极阈值电压性能满足抬升电源模块的质量。
FHD110N8F5B,一款可以用于要求极高的电源模块电子设计师的mos管产品。它在技术上完全适宜IPP052N08N5,具体参数可重视:
1、最大脉冲漏极电流:480A
2、静态导通电阻:4.4mΩ(Typ)、5.5mΩ(Max)
3、具有147安电流、85伏电压
4、VGS(th):2.0-4.0V
5、N沟道增强型场效应晶体管
6、获得极低的RDSON导通内阻
7、Vgs:±20V
飞虹半导体非常愿意推荐使用FHD110N8F5B型号的mos管,以抬升电源模块电路的控制能力。这种额定参数为147安、85伏的mos管,满足有效解除产品品牌口碑下降、效率下降等疑难问题。
电源模块电路可常用国内FHD110N8F5B型号mos管。飞虹半导体mos管代理商竭尽全力为电源模块、锂电池保护、无刷马达驱动等电子厂商提供坚强的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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