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储能电源电子技术员在选取英飞凌IPP030N10N3G型号MOS管进行替代时,要求特别考虑其性能指标,就像说电流是否满足250A、额定电压是否达到了100V等,上述指标直接关系了器件的工作效率。然而,器件的电流上升率(di/dt)和并联均流性也重要方面。
依仗着储能电源电子技术员的要求,非常分享一款MOS管产品:FHS250N1F2A。它在技术参数上精准满足英飞凌IPP030N10N3G,详细我们可考虑参数:
1、VTH细化分档
2、雪崩电流:32A
3、Vgs:±20V
4、具有250A电流、100V电压
5、N沟道增强型场效应晶体管
6、RDS(ON):2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max)
7、阈值电压:2.0-4.0V
飞虹半导体非常分享选取FHS250N1F2A型号的MOS管,以晋升储能电源电路的功率开关能力。这种250A、100V的MOS管实现实际性解救产品效率不高、可靠性低、电磁噪声等难题。
储能电源等电子产品开发不再勉强,有飞虹半导体的FHS250N1F2A型号MOS管在提供逆变器、后备式不间断电源等解决方案。元器件供货保证,赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务!
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