快速提升锂聚合物电池电路性能，FHS110N8F5BMOSFET成研发优选

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-06-05 浏览量：650 分享至：

锂聚合物电池在货币市场的持续磨炼中，以何种方式能在经营实践情形中战胜竞争者？核心模块是需要怎么样选择一款国内国产替代IPP052N08N5型号MOSFET用在锂聚合物电池电路图中。

MOSFET市场此刻处于困难境地，不可靠的存在运行：品牌口碑下降、散热能力低、电磁影响等不足，这不止严峻干扰了锂聚合物电池的正常运转，更并发了维护开支。从这个角度来看，决计品质高的MOSFET国产替代型号参数核心。

对于锂聚合物电池电子设计师而言，在国产替代IPP052N08N5型号MOSFET时，要求专注于多个重点属性。首先是MOSFET的性能参数，如电流是否实现了147A、电压是否实现了85v等，前述参数与器件的工作效率之间具有密不可分的关连的。

丰富全国锂聚合物电池生产公司在以前的时候将FHS110N8F5B当作IPP052N08N5的国产替代品，同时获得广泛使用。建议每一人详细了解其性能参数：

1、具有147A电流、85v电压
2、正向最大脉冲电流：480A
3、静态导通电阻RDS(ON)：4.4mΩ（Typ）、5.5mΩ（Max）
4、阈值电压：2.0-4.0V
5、最高栅源电压：±20V
6、场N沟道增强型

提升增多锂聚合物电池电路性能的缘于功率开关能力，飞虹半导体的FHS110N8F5B型MOSFET以其147A、85v的强大参数，确保化解产品的品牌口碑下降、散热能力低、电磁影响存在难题。

为电子生产公司化解电路开发问题，飞虹半导体的FHS110N8F5B型号MOSFET值得信赖。LED照明、无刷直流电机驱动器等应用都有保障，欢迎咨询400-831-6077获取免费试样服务！