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当单相逆变器电子设计师采选FGH75N65SHDT型号igbt单管进行替代时,须要特别注意多个核心属性。首先,igbt单管的性能参数非常重要,譬如说额定电流会不会得到了75安、额定电压会不会得到了650伏等,枚举参数关系到了器件的工作效率。需要特别注意的是,散热效果和安全工作区(SOA)也优先事项。
对单相逆变器领域的设计师来说,采选FHA75T65A的igbt单管产品就就相当于采选与FGH75N65SHDT技术参数完全可相配的解决系统性解决方案,让各位仔细注重详细参数:
1、关断损耗低
2、ID (Tc=100℃):75A;BVCES:650V
3、VCEsat典型值:1.75V-typ,<2.0V
4、沟槽栅场截止型IGBT
5、低VCEsat等
飞虹半导体为单相逆变器企业供应了克服方案:FHA75T65A型igbt单管,一个75安、650伏的强力参数,它将有效增长单相逆变器电路的转换电流能力,并克服产品的效率不高、安全效益差、散热效率低疑问。
打破单相逆变器电路开发的瓶颈,飞虹半导体igbt单管厂家的FHA75T65A型号成为单相逆变器企业的最佳备选项。全面管理的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。
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