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英飞凌IPP030N10N3G型号SGTMOSFET在电池管理系统电子工程中的运行,需要设计师着重注意其性能参数,就像,电流是否到达250安、额定电压是否到达100伏等,前述参数密不可分着电池管理系统电路的工作效率。况且,器件的击穿电压和温度系数也核心环节。
在实际案例,FHS250N1F2A已经在国外大批电池管理系统工厂中成功代换英飞凌IPP030N10N3G也可以获取广泛应用。愿意安利大家清楚其详细参数:
1、符合工业级要求
2、最大脉冲漏极电流:1000A
3、N沟道场效应晶体管
4、最高栅源电压Vgs:±20V
5、静态导通电阻RDS(ON):2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max)
6、具有250安电流、100伏电压
7、VGS(th):2.0-4.0V
FHS250N1F2A型号SGTMOSFET在电池管理系统的应用中认可度老高,控制稳定。
期望加强电池管理系统电路的转换电流性能,飞虹半导体愿意安利选用稳定稳健的FHS250N1F2A型SGTMOSFET,其250安、100伏的参数有效破解了产品的可靠性差、散热问题障碍问题。
电池管理系统电路可专用纯国产FHS250N1F2A型号SGTMOSFET。飞虹半导体SGTMOSFET制造商死力为电池管理系统、逆变器、升降压型DC/DC转换器等电子厂商提供稳妥的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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