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当户外储能电源电子工程师进行IPP041N04NG型号MOSFET的替代时,需要专心挑选多个关键要点。首先,MOSFET的性能参数势不可挡,例如额定电流会不会得到200a、额定电压会不会得到40伏等,以上参数深度关联着器件的工作效率。另需了解的是,电流上升率和门极阈值电压(VGE(th))也重要性能,全面的电流上升率性能能提升升高户外储能电源的质量。
在具体案例讨论,FHS200N4F3A许久前在全国丰富户外储能电源生产厂家中成功替代IPP041N04NG也能够得到广泛采纳。非常愿意介绍朋友们了解其详细参数:
1、反向传输电容:133pF
2、100%Rg测试
3、最高栅源电压Vgs:±20V
4、场N沟道增强型
5、静态导通电阻:2.4mΩ(Typ)、3.1mΩ(Max)
6、VGS(th):2.0-4.0V
7、具有200a电流、40伏电压
纪女士综合分析研判决计飞虹半导体,是因FHS200N4F3A型号常用在户外储能电源。
飞虹半导体为户外储能电源生产厂家提供了破解方案:FHS200N4F3A型MOSFET,一个200a、40伏的强力参数,它将有效提升升高户外储能电源电路的转换电流能力,并破解产品的电磁干扰、可靠性降低、效率不高麻烦。
打破户外储能电源电路开发的瓶颈,飞虹半导体MOSFET厂家的FHS200N4F3A型号成为户外储能电源生产厂家的具有理性的取舍。全面标准的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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