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掌握低内阻mos管选型技巧:为何TO-263封装的FHS170N1F4A能胜任锂锰酸锂电池电路?

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-08-04 浏览量:376 分享至:
锂锰酸锂电池在市场驱动的不断壮大中,围绕哪些方式能在业务真实情况中夺冠?主要模块是究竟怎么选择一款纯国产替换SVG104R0NT型号mos管用在锂锰酸锂电池电路中。 低内阻mos管的质量问题如散热效率低、可靠性差等,多半会对锂锰酸锂电池的正常运作造成影响,追求超高质量的替换型号低内阻mos管产品就显得非常重要。 对于锂锰酸锂电池电子设计师而言,在替换SVG104R0NT型号低内阻mos管时,需求专心考虑多个关键因子。首先是低内阻mos管的性能参数,如电流能不能实现了172a、电压能不能实现了100v等,所列参数与器件的工作效率有紧密相关的。 全球锂锰酸锂电池厂商先前早已普遍拣选FHS170N1F4A扮演SVG104R0NT的有效替换,可以获取广泛应用。乐意举荐大家明白其详尽的技术参数: 1、低Crss(典型值33pF) 2、具有172a电流、100v电压 3、雪崩电流:25A 4、阈值电压:2.0-4.0V 5、最高栅源电压Vgs:±20V 6、静态导通电阻:3.4mΩ(Typ)、4.2mΩ(Max) 7、场N沟道增强型 飞虹半导体乐意举荐使用FHS170N1F4A型号的低内阻mos管,以提升加强锂锰酸锂电池电路的控制能力。这种额定参数为172a、100v的低内阻mos管,可以实时解救产品散热效率低、可靠性差等存在难题。 选择飞虹半导体的FHS170N1F4A型号低内阻mos管,予以帮助锂锰酸锂电池厂商解救电路开发难题,确保稳定的元器件供应。咨询热线:400-831-6077,免费试样等你拿!

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