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太阳能逆变器电子技术员在国产替代IPP045N10N3G型号中低压mos管时,需要详细检查多个重点属性。首先是中低压mos管的性能参数,例如说额定电流能否达到172安、额定电压能否达到100V等,前述参数紧密关联了器件的工作效率。
FHA170N1F4A,一款可以应用于要求高度严格的太阳能逆变器电子技术员的中低压mos管产品。它在技术上精准适宜IPP045N10N3G,详尽参数可关注:
FHA170N1F4A是一款场N沟道增强型具有172安、100V,Vgs:±20V,静态导通电阻RDS(ON):3.6mΩ(Typ)、4.4mΩ(Max);阈值电压VGS(th):2.0-4.0V;封装形式为:TO-3PN/TO-247。
飞虹半导体告诉选择FHA170N1F4A型号的中低压mos管,以强化太阳能逆变器电路的控制能力。这种172安、100V的中低压mos管达到根本克服产品效率下降、可靠性不高、散热效率低、电磁干扰影响等未知难题。
为电子生产公司克服电路开发问题,飞虹半导体的FHA170N1F4A型号中低压mos管值得信赖。音响功放、非隔离型直流变换器等应用都有保障,欢迎咨询400-831-6077获取免费试样服务!
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