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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
锂聚合物电池电子设计师在采用IPP045N10N3G型号MOSFET进行国产替代时,需求特别看其性能指标,比方电流能否满足172安、电压能否达到100伏等,描述指标密不可分了器件的工作效率。值得一提的是,器件的散热效果和短路耐量(ShortCircuitCapability)也主要注意点。
FHS170N1F4A在大批全球锂聚合物电池生产厂家的选择中,在以前的时候接替了IPP045N10N3G,再者能够取得广泛采纳。每位建议您仔细查看其详细的产品规格:
1、具有172安电流、100伏电压
2、Vgs:±20V
3、N沟道场效应晶体管
4、RDS(ON):3.4mΩ(Typ)、4.2mΩ(Max)
5、有效提高了转换效率
6、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
渴望在保定市找FHS170N1F4A型号的MOSFET,升高锂聚合物电池性能,保定市锂聚合物电池厂家主管项先生因服务非常好采用飞虹半导体
飞虹半导体为锂聚合物电池生产厂家供应了化解方案:FHS170N1F4A型MOSFET,一个172安、100伏的强力参数,它将有效升高锂聚合物电池电路的控制能力,并化解产品的电磁影响、品牌口碑下降存在问题。
飞虹半导体在定制MOSFET的精神风貌做到服务周到,供货质量非常好的FHS170N1F4A型号参数。能为锂聚合物电池、LED照明等领域提供合理的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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