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电路设计新趋势,纯国产FHS170N1F4AMOSFET的优势参数分析

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-09-15 浏览量:481 分享至:
科技的持续迭代导致了复合型功率半导体器件在各个新兴行业席卷而来的应用,主要是在锂聚合物电池和开关电源等领域,对于MOSFET这种符合于精确控制和调节电流的器件的需求更加急切。在锂聚合物电池电路中,采用一款极致的的纯国产MOSFET器件来国产替代IPP045N10N3G型号显得极其关键。 MOSFET市场,性能欠佳的产品日常弊端涉及到:电磁影响、品牌口碑下降等,描述弊端既严重干预了锂聚合物电池的正常应用,又使增加了维护成本。因为如此,采用最好的MOSFET国产替代产品极其关键。 锂聚合物电池电子设计师在采用IPP045N10N3G型号MOSFET进行国产替代时,需求特别看其性能指标,比方电流能否满足172安、电压能否达到100伏等,描述指标密不可分了器件的工作效率。值得一提的是,器件的散热效果和短路耐量(ShortCircuitCapability)也主要注意点。 FHS170N1F4A在大批全球锂聚合物电池生产厂家的选择中,在以前的时候接替了IPP045N10N3G,再者能够取得广泛采纳。每位建议您仔细查看其详细的产品规格: 1、具有172安电流、100伏电压 2、Vgs:±20V 3、N沟道场效应晶体管 4、RDS(ON):3.4mΩ(Typ)、4.2mΩ(Max) 5、有效提高了转换效率 6、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V 渴望在保定市找FHS170N1F4A型号的MOSFET,升高锂聚合物电池性能,保定市锂聚合物电池厂家主管项先生因服务非常好采用飞虹半导体 飞虹半导体为锂聚合物电池生产厂家供应了化解方案:FHS170N1F4A型MOSFET,一个172安、100伏的强力参数,它将有效升高锂聚合物电池电路的控制能力,并化解产品的电磁影响、品牌口碑下降存在问题。 飞虹半导体在定制MOSFET的精神风貌做到服务周到,供货质量非常好的FHS170N1F4A型号参数。能为锂聚合物电池、LED照明等领域提供合理的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!

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