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在BMS电子工程中,IPP041N04NG型号n沟道增强型SGTMOSFET的抉择需要工程师重点关注其性能指标。比如,电流可不可以满足200a、电压可不可以达到40v等,所述指标关联紧密着器件的工作效率。
在具体案例分析,FHS200N4F3A近来在国外大量BMS公司中成功替换IPP041N04NG再者可以获取大规模应用。愿意安利每一人知道其详细参数:
1、静态导通电阻:2.4mΩ(Typ)、3.1mΩ(Max)
2、反向传输电容:133pF
3、N沟道增强型场效应晶体管
4、具有200a电流、40v电压
5、开关速度快
6、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
7、最高栅源电压:±20V
在这种局面下想要提升增进BMS电路的控制能力,飞虹半导体愿意安利抉择FHS200N4F3A型号n沟道增强型SGTMOSFET。200a、40v的n沟道增强型SGTMOSFET,它真正处理产品电磁干扰影响、产品存安全隐患、散热效率低等疑问问题。
飞虹半导体生产出售的FHS200N4F3A型号n沟道增强型SGTMOSFET,是BMS、驱动电机和EC电机驱动等电子产品厂商的优选,解决电路开发中的各种问题。保障元器件供应,详情请联系免费试样热线:400-831-6077!
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