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电池均衡板电子工程师在代换IPP052N08N5型号中低压MOS管应用时,需求关切整体的核心指标。如,中低压MOS管的性能参数:额定电流能否实现147安、电压能否实现85v等,所列都密切相关器件的工作效率。相关的是,热阻(Rth(j-c))和热阻(Rth(j-c))也是优先处理的事项。
大规模全球电池均衡板厂商曾经将FHD110N8F5B当作IPP052N08N5的代换品,并能够取得大范围被使用。建议每一人详细知道其性能参数:
1、N沟道增强型场效应晶体管
2、阈值电压:2.0-4.0V
3、最高栅源电压:±20V
4、具有宽泛的BV电压
5、具有147安电流、85v电压
6、静态导通电阻:4.4mΩ(Typ)、5.5mΩ(Max)
FHD110N8F5B型号MOS管长寿命,寿命质量极度好的中低压MOS管!
由于这个原因奢求加强电池均衡板电路的功率开关能力,飞虹半导体乐意建议挑选FHD110N8F5B型号中低压MOS管。147安、85v的中低压MOS管,它实质克服产品安全效益差、电磁影响等障碍难题。
选择飞虹半导体的FHD110N8F5B型号中低压MOS管,尽力支持电池均衡板厂商克服电路开发难题,确保稳定的元器件供应。咨询热线:400-831-6077,免费试样等你拿!
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