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降本不降质:BMS锂电池保护板选型低压SGTMOSFET时不可忽视的FHS250N1F2A型号

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-11-13 浏览量:255 分享至:
低压SGTMOSFET是BMS锂电池保护板的关键因素,是能直接影响其可持续性。该以何种渠道选型低压SGTMOSFET才具有适合BMS锂电池保护板电路的产品呢? 现阶段低压SGTMOSFET市场中,性能差的低压SGTMOSFET存有的瑕疵包含有:散热问题、电磁影响等,前述瑕疵不仅仅是严重搅乱了BMS锂电池保护板设备的正常运行,加之助长了维护成本。从这个层面上,追寻高水平的代替型号低压SGTMOSFET产品就显得重要。 对于BMS锂电池保护板电子工程师而言,在代替英飞凌IPP030N10N3G型号低压SGTMOSFET时,须要当心多个关键方面。首先是低压SGTMOSFET的性能参数,如电流能否实现250安、额定电压能否实现100伏等,前述参数与器件的工作效率关系密切的。 针对寻觅高性能价比BMS锂电池保护板的电子工程师而言,FHS250N1F2A的低压SGTMOSFET产品是您的最完美的选择,它的技术规格与英飞凌IPP030N10N3G完全匹配,详细可注重参数: 1、N沟道场效应晶体管 2、具有250安电流、100伏电压 3、VGS(th):2.0-4.0V 4、最高栅源电压Vgs:±20V 5、静态导通电阻:2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max) 6、100%经过热阻测试 企望升高BMS锂电池保护板的功率开关能力,飞虹半导体解决焦总需求,所以决定FHS250N1F2A型号SGTMOSFET。 为升高BMS锂电池保护板电路的功率开关性能,飞虹半导体非常愿意提议采用型号为FHS250N1F2A的低压SGTMOSFET。这款250安、100伏的低压SGTMOSFET能够本质应对产品散热问题、电磁影响等疑问问题。 选择飞虹半导体的FHS250N1F2A型号低压SGTMOSFET,提供帮忙BMS锂电池保护板厂家应对电路开发难题,确保稳定的元器件供应。咨询热线:400-831-6077,免费试样等你拿!

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