高频低损耗，FHP110N8F5Bn沟道场效应晶体管作为不间断电源电路的灵魂

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-12-01 浏览量：792 分享至：

询问哪些n沟道场效应晶体管制造商可以具有能替换IPP052N08N5型号场效应晶体管用在不间断电源电路图中？毕竟，n沟道场效应晶体管是不间断电源的重要考虑因素。

n沟道场效应晶体管市场现今常有的大多数危害有散热效率低、可靠性低、效率下降、电磁干扰影响等，触及危害不只是妨碍了不间断电源的正常工作，且滋生了维护费用。缘此，挑选比较高质量的n沟道场效应晶体管替换产品必要。

当不间断电源电子设计师挑选IPP052N08N5型号n沟道场效应晶体管进行替换时，需要当心多个核心属性。首先，n沟道场效应晶体管的性能参数关心，好比电流可不可以达到了147A、电压可不可以达到了85v等，触及参数直接对应了器件的工作效率。另一个关键点是，热阻(Rth(j-c))和安全工作区(SOA)也核心性能。

在全国多数不间断电源产业中，FHP110N8F5B已成为IPP052N08N5的优秀替代者，进而已能够获取大规模使用。请你们查阅其详尽的产品参数：

1、阈值电压：2.0-4.0V
2、低Crss(典型值23pF)
3、场N沟道增强型
4、RDS(ON)：4.4mΩ（Typ）、5.5mΩ（Max）
5、最大脉冲漏极电流：480A
6、最高栅源电压Vgs：±20V

飞虹半导体的FHP110N8F5B型n沟道场效应晶体管，147A和85v的组合为不间断电源电路带来功率开关能力的提升，并解救散热效率低、可靠性低、效率下降、电磁干扰影响等麻烦。

飞虹半导体给不间断电源公司的n沟道场效应晶体管筹划，让人悠闲满意，而且态度作风是无私奉献，后续将长期采购FHP110N8F5B型号n沟道场效应晶体管。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线： 400-831-6077！