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品质与性能兼备:FHS100N8F6A,锂锰酸锂电池中低压SGTMOSFET的新选用

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2025-01-13 浏览量:257 分享至:
中低压SGTMOSFET是锂锰酸锂电池的关键部分。由于这个,哪一些有中低压SGTMOSFET代理商才能享有适合锂锰酸锂电池用的中低压SGTMOSFET产品? 对于中低压SGTMOSFET市场而言,一般存有散热问题、产品寿命短、电磁干扰等麻烦是无法忽视的,确保锂锰酸锂电池设备的可靠运行,迫切需要搜寻极高的品质的国产替代中低压SGTMOSFET产品。 STP110N8F6型号中低压SGTMOSFET在锂锰酸锂电池电子工程中的运行,需要技术员着重关注其性能参数,好像,额定电流可不可以做到了120安、电压可不可以做到了85v等,前述参数深度关联着锂锰酸锂电池电路的工作效率。额外的考虑因素是,器件的电压上升率和关断电荷量(Qgd)也重点方面。 针对于锂锰酸锂电池电子技术员的需要,非常愿意介绍一款中低压SGTMOSFET产品:FHS100N8F6A。它在技术参数上完全适合STP110N8F6,详细每一位可关注参数: 1、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V 2、最高栅源电压:±20V 3、静态导通电阻:5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max) 4、N沟道增强型场效应晶体管 5、开关速度快 6、具有120安电流、85v电压 7、正向最大脉冲电流:320A 贺女士综合研判选用飞虹半导体,是因FHS100N8F6A型号专用在锂锰酸锂电池。 在这种情形下渴望提升锂锰酸锂电池电路的转换电流能力,飞虹半导体非常愿意介绍选用FHS100N8F6A型号中低压SGTMOSFET。120安、85v的中低压SGTMOSFET,它实质消解产品散热问题、产品寿命短、电磁干扰等麻烦。 为电子生产厂消解电路开发问题,飞虹半导体的FHS100N8F6A型号中低压SGTMOSFET值得信赖。LED照明、降压型DC/DC转换器等应用都有保障,欢迎咨询400-831-6077获取免费试样服务!

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