品质与性能兼备：FHS100N8F6A，锂锰酸锂电池中低压SGTMOSFET的新选用

文章类别：MOS管资讯发布时间：2025-01-13 浏览量：550 分享至：

中低压SGTMOSFET是锂锰酸锂电池的关键部分。由于这个，哪一些有中低压SGTMOSFET代理商才能享有适合锂锰酸锂电池用的中低压SGTMOSFET产品？

对于中低压SGTMOSFET市场而言，一般存有散热问题、产品寿命短、电磁干扰等麻烦是无法忽视的，确保锂锰酸锂电池设备的可靠运行，迫切需要搜寻极高的品质的国产替代中低压SGTMOSFET产品。

STP110N8F6型号中低压SGTMOSFET在锂锰酸锂电池电子工程中的运行，需要技术员着重关注其性能参数，好像，额定电流可不可以做到了120安、电压可不可以做到了85v等，前述参数深度关联着锂锰酸锂电池电路的工作效率。额外的考虑因素是，器件的电压上升率和关断电荷量(Qgd)也重点方面。

针对于锂锰酸锂电池电子技术员的需要，非常愿意介绍一款中低压SGTMOSFET产品：FHS100N8F6A。它在技术参数上完全适合STP110N8F6，详细每一位可关注参数：

1、阈值电压VGS（th）：2.0-4.0V
2、最高栅源电压：±20V
3、静态导通电阻：5.3mΩ（Typ）、6.5mΩ（Max）
4、N沟道增强型场效应晶体管
5、开关速度快
6、具有120安电流、85v电压
7、正向最大脉冲电流：320A

贺女士综合研判选用飞虹半导体，是因FHS100N8F6A型号专用在锂锰酸锂电池。

在这种情形下渴望提升锂锰酸锂电池电路的转换电流能力，飞虹半导体非常愿意介绍选用FHS100N8F6A型号中低压SGTMOSFET。120安、85v的中低压SGTMOSFET，它实质消解产品散热问题、产品寿命短、电磁干扰等麻烦。

为电子生产厂消解电路开发问题，飞虹半导体的FHS100N8F6A型号中低压SGTMOSFET值得信赖。LED照明、降压型DC/DC转换器等应用都有保障，欢迎咨询400-831-6077获取免费试样服务！