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飞虹半导体IGBT单管FHA60T65A引领便携式应急储能电源新潮流

文章类别:IGBT资讯 发布时间:2025-03-09 浏览量:315 分享至:
随着便携式应急储能电源市场的快速发展,对高性能、高可靠性的半导体器件需求日益增长。在这一背景下,位于广州的飞虹半导体凭借其强大的研发和生产能力,推出了全新IGBT单管产品FHA60T65A,以FGH60N60SMD为替代型号,成功吸引了众多电子工程师和采购人员的关注。 某知名便携式应急储能电源制造商在面对高频开关和大电流的应用场景时,曾因选型困难和散热设计问题困扰。传统使用的FGH60N60SMD型号在实际应用中,虽然性能稳定,但在功耗和散热方面存在一定瓶颈,限制了产品的进一步优化。经过多方对比,他们选择了飞虹半导体的FHA60T65A作为替代方案。 FHA60T65A在VCEsat典型值仅为1.75V,显著低于FGH60N60SMD的2.0V,有效降低了关断损耗,提升了整体系统的能效。此外,FHA60T65A在高温环境下依然能够稳定工作,其ID (Tc=100℃)达到60A,BVCES为650V,完全满足便携式应急储能电源对高压大电流的需求。采用场N沟道沟槽栅截止型设计,使得该产品在关断时更加高效,进一步提升了系统的可靠性和稳定性。 在实际应用中,FHA60T65A不仅在性能上全面优于FGH60N60SMD,还在成本控制和供货稳定性方面展现出明显优势。飞虹半导体作为国内大功率MOS管的重点封装基地之一,其位于广州保税区的20亩工厂,拥有13000平方米的生产车间和300多名专业员工,确保了产品的高质量和稳定供应。这对于注重性价比和供货周期的采购与供应链人员来说,无疑是一个极具吸引力的选择。 此外,飞虹半导体还为客户提供全面的技术支持,包括详细的数据手册、参考设计以及失效分析,帮助客户在产品设计和应用中更加得心应手。通过与飞虹半导体的合作,客户不仅解决了选型困难和散热设计等技术痛点,还在成本控制和供应链优化上取得了显著成效。 飞虹半导体的FHA60T65A凭借其卓越的性能和可靠的品质,已在多个行业领域得到广泛应用,特别是在便携式应急储能电源方面展现出独特的优势。未来,飞虹半导体将继续致力于产品创新和供应链优化,为国内外客户提供更加优质的半导体解决方案。 为了更好地了解飞虹半导体的产品和服务,欢迎有需求的客户百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线:400-831-6077。飞虹半导体期待与您合作,共同推动便携式应急储能电源行业的发展。

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