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在锂电池组,尤其是7-8串的储能或动力电池BMS(电池管理系统)保护板设计中,主回路开关的选型永远是工程师的“心头大考”。它不仅直接关乎系统的安全与效率,更在成本与供应链稳定性上牵动着采购人员的神经。面对市场上琳琅满目的型号,你是否也在寻找一款性能强劲、供应可靠且性价比突出的MOS管?今天,我们将目光投向一家国产场效应管厂家——广州飞虹半导体的解决方案:200N6F3A。
BMS保护板中的场效应管(通常作为充放电控制开关)工作条件极为特殊:需要承受电池组瞬间的大电流(如短路保护、电机启动),同时自身损耗必须极低以避免发热,并具备快速响应能力以实现精准保护。工程师选型时,常陷入多参数权衡的困境:
痛点聚焦:导通电阻(RDS(ON))要小以降低损耗,但往往意味着成本上升;电流能力(ID)要足,但封装和散热设计面临挑战;开关速度要快,但又需兼顾栅极驱动电路的兼容性与可靠性。此外,采购端还担忧假货风险与供货周期。
飞虹半导体的200N6F3A,是一款采用先进SGT(Shielded Gate Trench)工艺的N沟道MOSFET。其TO-263封装版本(FHS200N6F3A)正是瞄准了多串锂电池BMS保护板这一细分市场。我们通过其关键参数,来看看它如何破解上述困境:
在VGS=10V时,其静态导通电阻RDS(ON)典型值仅为2.85mΩ,最大值也控制在3.5mΩ。极低的RDS(ON)意味着在相同电流下,管子自身的导通压降和发热功率(P_loss = I² * RDS(ON))被大幅削减。这对于需要长期导通工作的放电回路而言,直接提升了整机效率,并减轻了散热设计压力。
该器件在壳温25℃时连续漏极电流高达200A,脉冲电流能力更达800A。这为电池组可能遇到的瞬间短路或电机堵转等大电流冲击提供了充足的余量。同时,其单脉冲雪崩能量(EAS)达392mJ,确保在电感负载关断等异常情况下具备良好的抗电压尖峰能力,增强了系统鲁棒性。
得益于SGT工艺和优化的栅极设计,200N6F3A的栅极电荷总量(Qg)典型值为70nC,且开关速度很快(td(on)仅6ns)。较低的Qg使得现有的驱动电路能更轻松、快速地完成对其的充放电,减少了驱动损耗和开关延迟,有利于实现BMS的快速保护动作。
在市场中,工程师常选用如IPP04N06N3等国际品牌型号。飞虹200N6F3A在关键性能参数上可与之对标甚至更优,提供了一个切实可行的国产化代替方案。更重要的是,飞虹作为本土场效应管厂家,具备以下优势:
在为新设计或替代原有设计选型时,面对类似200N6F3A这样的国产MOS管,建议采取以下步骤:
国产半导体器件的进步有目共睹。飞虹半导体200N6F3A在BMS保护板等应用中的表现,证明了国产高性能场效应管已能胜任关键岗位。它不仅是简单的“代替”,更是基于性能与可靠性考量的一个优质选项,为电子工程师提供了更丰富、更具弹性的供应链选择。
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