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本文详细介绍了国产场效应晶体管80N07在逆变电源设计中的应用,重点分析了其性能参数、代换型号RU6888的兼容性,以及飞虹半导体在供应链和技术支持方面的优势,帮助工厂采购与供应链人员做出明智选择。
本文通过访谈飞虹半导体专家,深入探讨国产场效应管250N1F2A在DC-AC逆变器领域的应用,分析其如何实现高效国产替代,并为企业提供选型建议。
本文详细解答了电子工程师在选择国产场效应管时的常见问题,重点推荐飞虹半导体的170N1F4A作为IPP045N10N3G的代换型号,并分析其在储能电源、太阳能控制器等领域的应用优势。
飞虹半导体推出的100N07B场效应管,作为国产替代HY1707的理想选择,广泛应用于电动车控制器等领域。本文详细介绍了其性能优势、应用场景及限时优惠信息,助力客户高效选型。
众多国际直播移动储能电源厂家在此之前已经将FHA40T65A担任FGH40N60SFD的替代品,还能获得广泛使用。建议朋友们详细明白其性能参数:
大批国内离线式UPS厂家初前将FHA40T65A当作FGH40N60SFD的国产替代品,再者赢得大规模普及。建议每个人详细明白其性能参数:
飞虹半导体凭借先进的IGBT单管产品FHA60T65A和FGH60N60SMD,助力直播移动储能电源领域取得突破,成为行业信赖的合作伙伴。
飞虹半导体推出高性能大功率IGBT FHA40T65A,完美替换仙童FGH40N60SFD,助力录像机变频器等应用,享受限时优惠,提升电路设计效率。
放大音频信号是MOS管在音响功放的主要作用,意味着好的MOS管能够直接影响产品的品质。对于电路研发工程师,如何选择好的、能代换IRF3710型号参数用于音响功放中是非常重要的。
音响功放领域的MOS管在不断迭代,近年来都是往高效、高功率密度和低失真的发展趋势。对于音响功放影响其失真的因素会有很多,在MOS管领域就会有跨导(gm)、阈值电压(Vth)、极间电容(Ciss、Coss、Crss)、漏源导通电阻(Rds(on))等参数因素影响。
音响功放、步进电机驱动器在设计电路时卡在怎么选型的问题?想用JCS60N10、IRF3710这两款型号,但又担心成本与供应链的问题?
预计2031年全球UPS不间断电源设备市场将达到172.1亿美元的规模,年复增长率在4.1%左右。面对该千亿市场,生产厂家该如何保障自身供应链稳定,从而确保自身市场占有率可以不断提升呢?重要的元器件:MOS管的选型一定不能错。
4月,作为国内深耕于IGBT、MOS管的厂家代表,飞虹半导体成功参加了第104届中国电子展(深圳)以及慕尼黑上海电子展,两大行业盛会圆满落幕。
第104届中国电子展即CITE2025即将在深圳会展中心(福田)隆重举办。2025年4月9-11日飞虹半导体受邀参展,携其在大功率分立器件领域的创新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列产品亮相展会。与参展者围绕“科技创新·“圳”在变革”的主题共襄盛典,展望电子产业的未来。
在辞旧迎新之际,广州飞虹半导体科技有限公司党支部积极响应党的号召,深入贯彻落实习近平新时代中国特色社会主义思想,全面落实党的二十大及第二十届二中、三中全会精神。
在炽热的八月,我们迎来了骄阳似火的2024世界太阳能光伏暨储能产业博览会。为期三天的盛会在广州·中国进出口商品交易会展馆B区圆满落幕,这不仅是一次业内顶级的交流平台,更是全球光储产业发展的重要见证。飞虹半导体作为其中一员,感受到了来自同行与客户的热情关注,并借此新闻稿对所有的支持与关注表示衷心的感谢。
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