MOS管是UPS将电池直流电高效、可靠地转换成交流电供给负载的核心执行元件。在实际选用产品时，工程师现在会纠结于仍然使用MOS管还是使用IGBT呢?MOSFET在低压、大电流应用中的效率通常优于IGBT(绝缘栅双极晶体管)，因此高压选IGBT，低压选MOS管。

今天我们要分享的这一款MOS管是能代换NCE82H140型号适用于低压系统的UPS不间断电源中的。

FHP140N08VMOS管是飞虹半导体专门推广可以很好用于UPS不间断电源中的一款场效应管。它具有140A、82V、4.3mΩ，正满足不间断电源的电路设计，而且能无缝代换NCE82H140场效应管。

FHP140N08V采用先进的沟槽技术(Trench Technology),结合更优的工艺条件、精细优化器件结构,使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。

在封装上面，该晶体管属于TO-220外形封装，对于产品的散热设计也是常用的封装类型，适配市场大多数电路设计。

具体从FHP140N08V场效应管的参数可看:Vgs(±V):20;VTH(V):2.9;ID(A):140A;BVdss(V):82V。静态导通电阻RDS(on)=5.2mΩ(max)@VGS=10V、RDS(on)=4.3mΩ(typ)@VGS=10V。

正是上述参数，让FHP140N08V场效应管是能更好代换NCE82H140型号参数用于不间断电源的电路。

FHP140N08V通过了100%UIS测试、100%Rg测试、100%DVDS瞬间热阻测试等。

同时也通过采用特色的trench工艺，结合优秀的封装BOM材料，使产品拥有更高的可靠性,雪崩耐量高，抗冲击性能强。

好产品才能占有更多市场，如研发中有选型的问题，欢迎沟通交流。需要选择140A、82V、4.3mΩ的MOS管用于不间断电源的选型问题，建议选用FHP140N08V场效应管。

除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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