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在后备式不间断电源电子工程中,MDP1991型号大功率SGTMOSFET的选定要求技术员重点注意其性能指标。例如,额定电流能不能满足172a、电压能不能得到100v等,以上指标直接相关着器件的工作效率。
后备式不间断电源厂家产品电路之前用MDP1991型号SGTMOSFET。现在的现实,预期找着国产大功率SGTMOSFET代理商出售FHA170N1F4A型号的大功率SGTMOSFET用在后备式不间断电源替代MDP1991型号SGTMOSFET使用。
1、N沟道增强型场效应晶体管
2、具有172a电流、100v电压
3、阈值电压:2.0-4.0V
4、最高栅源电压:±20V
5、静态导通电阻RDS(ON):3.6mΩ(Typ)、4.4mΩ(Max)
6、100%Rg测试
FHA170N1F4A型号SGTMOSFET在后备式不间断电源的应用中认可度超高,控制稳定有力。
为提升增进后备式不间断电源电路的转换电流性能,飞虹半导体非常介绍采用型号为FHA170N1F4A的大功率SGTMOSFET。这款172a、100v的大功率SGTMOSFET完成根本克服产品可靠性降低、效率不高、电磁干扰等未知疑问。
后备式不间断电源公司选择飞虹半导体大功率SGTMOSFET代理商,努力为家电、应急电源等电子公司提供稳当的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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