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技术创新,国产FHP200N6F3A低压MOSFET的产品优势分析

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-05-06 浏览量:229 分享至:
低压MOSFET是功率逆变器的主要要素,是能直接影响其工作性能。该以何种方式选型低压MOSFET可以获得适合功率逆变器电路图的产品呢? 对于低压MOSFET市场而言,普遍存有产品缩短寿命、散热不良、可靠性弱等未知问题是不容忽视的,确保功率逆变器设备的常规运行,紧急需要寻觅质量好的替代低压MOSFET产品。 功率逆变器电子技术员在替代IPP04N06N3型号低压MOSFET时,需要注意到多个关注重点。首先是低压MOSFET的性能参数,比方电流能否达到了200A、电压能否达到了60伏等,枚举参数关联紧密了器件的工作效率。 在相关案例讲解,FHP200N6F3A现阶段在国内大量功率逆变器生产公司中成功替代IPP04N06N3又可以取得大规模被使用。愿意举荐每个人明白其详细参数: 1、正向最大连续电流:200A 2、静态导通电阻RDS(ON):2.85mΩ(Typ)、3.5mΩ(Max) 3、N沟道增强型场效应晶体管 4、最高栅源电压:±20V 5、100%Rg测试 6、VGS(th):2.0-4.0V 谷女士结合拣选飞虹半导体,是因FHP200N6F3A型号专用在功率逆变器。 飞虹半导体愿意举荐使用FHP200N6F3A型号的低压MOSFET,以提升增多功率逆变器电路的转换电流能力。这种额定参数为200A、60伏的低压MOSFET,满足本质化解产品产品缩短寿命、散热不良、可靠性弱等未知问题。 打破功率逆变器电路开发的瓶颈,飞虹半导体低压MOSFET厂家的FHP200N6F3A型号成为功率逆变器生产公司的具有理性的取舍。全面战略一站式标准的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。

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